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固态成像器件II 光子探测 固态成像：把入射的光能量转换成可测量的量(电压，电流)。把入射端的光子和出射端的电压联系起来的是电子。 固态成像：光生电子的产生、捕获及转移； 当光子入射到半导体基底材料上，半导体吸收光子能量产生电子-空穴对(1.1eV)； 电子-空穴对产生后，需要把它们分离(收集电子，排斥空穴)，最简单的办法是施加电场； 电子被收集以后，要使其能被转换成可检测量，需要积累一段时间(单个电子电量太小，无法被检测)； 电子-空穴的分离和电子的积累可以通过两种方法实现； 1,人工扩散的n+p结(反向偏压光电二极管)； 2,外加电场产生的np结(MOS电容)； 电子-空穴的分离通过np结间的电场实现； 电子的积累通过反向偏压且电隔离的结电容实现； 光生电子的产生和积累以后，下一步需要把电荷包从积累的地方传输出去； 两种方法： 带有传感线的MOS开关:把像素所形成的小电容和传感线形成的大电容连接，带来差的信躁比；制造简单； 移位寄存器:把像素所形成的小电容和输出极的小电容相连，带来较高的信躁比；制作复杂，需加驱动脉冲； 电荷转移系统 四相时钟转移系统；(广泛用于器件的二维部分)三相时钟转移系统；二相时钟转移系统；(常用在输出水平移位寄存器，需高速驱动的部分)一相半时钟转移系统；一相时钟转移系统； 四相时钟系统 时钟占空比为5/8； 如各相时钟未完全对准，最坏情况下电荷容量为整个像元容量的1/2； 四相时钟系统 时钟占空比为50%的四相方法； 时钟产生简化了：1和3为反相关系、2和4亦然； 如时钟未对准，最坏情况下电荷容纳能力为像元的25%；改进方法：各时钟下降沿延后一点； 三相时钟系统 一相进行电荷存储,一相用来做势阱间的隔离,另一相用来驱动电荷运动； 50%占空比，120。相移； 最坏情况下，电荷容纳能力为1/3； 像元尺寸可更小，比四相； 二相时钟系统 通过对绝缘层厚度的设计，实现电荷的单方向转移； 两相时钟间不能重叠； 电荷容量为25%；在实际中，厚绝缘层部分的宽度实际比薄绝缘层部分要小很多； 二相时钟系统 电荷转移方向的控制通过附加的n掺杂区实现;(掺n,势阱变深) 两相时钟互为反相;(时间重叠要求不严格) 与四、三相比:CCD结构更复杂,电荷容纳能力也小；但驱动更简单；电荷只能单向转移； 一相半时钟系统 两相系统的变形，2相时间用直流替代，其值介于1相时钟电压的高低之间； 2相电压介于1相高低之间?电荷容量只有全两相系统的一半；电荷容量能力下降了； 纹波时钟系统 (ripple clock) 2.I+1个栅:I个存储电荷,I个用来隔离,多的1个来进行转移； 优点为其紧密性,电荷容纳略小于50%； 缺点：时钟系统太复杂； 成像器件结构 固态成像器件包括:线阵器件：单输出通道； 双输出通道； 四输出通道；面阵器件：帧转移型； 列间转移型(隔列转移)； 帧列间转移型； 线阵CCD 固态成像器件最简单的阵列形式； 和像素并列放置有移位寄存器，移位寄存器单元间距等于像素间距； 像素和移位寄存器间有转移栅； 积分时间完成后，转移栅加高电压，各像素中存储的电荷同时转移到移位寄存器；然后转移栅压设为低，进行下一轮积分；在像素进行光积分的同时，移位寄存器串行输出从像素转移过来的光电荷； 对于移位寄存器：‘并进，串出’ 单输出通道线阵CCD 双输出通道线阵CCD 光积分过程； 四输出通道线阵CCD 与双输出通道线阵CCD类似，只不过具有四条输出移位寄存器； 在输出级，各通道的输出要复合形成串行序列； 可提高像素密度，至单通道的4倍；(一般来说，像素尺寸受限于移位寄存器的大小) 相同像素总数、相同读出时间的情况下，可降低驱动时钟频率； 适用于高分辨率线阵CCD； 面阵CCD 帧转移（Frame Transfer） 列间转移（Interline Transfer） 帧列间转移（Frame Interline Transer） 帧转移型面阵CCD (Frame-transfer CCD) MOS电容既作为感光元件又作为电荷转移器件； 相当于把一些兼做感光的移位寄存器并列放置形成二维器件； 还有同样尺寸的移位寄存器处于光屏蔽区，用来作为存储区； 感光单元上方覆盖转移电极（多晶Si or 其他透明感光材料）； 转移电极对光吸收-感光度降低； 帧转移型面阵CCD工作原理 帧转移型面阵CCD工作原理 帧转移型面阵CCD工作原理 帧转移型面阵CCD工作过程描述 1,CCD的上半部分(感光部分)的所有像元偏置到积分模式；(每个像元由多相组成：有的相接直流高电平，有的相接直流低电平) 2,积分完成后，各垂直移位寄存器把电荷转移到遮蔽区的存储区；(过程要尽量快以减小在此器件光