SOI硅绝缘技术.pptVIP

外延工艺顺序 把干净的硅片装入反应室 吹入惰性气体并充入氢气（LPVCD：抽真空） 加热到氢气烘烤温度（1200 ℃ ）以除去氧化层（该步骤能去除50-100A的SiO2层） a)加热到HCl刻蚀温度；b)引入无水HCl(或SF6)以刻蚀表面的硅层；c)吹气以除去系统中的杂质和HCl a)冷却到沉积温度；b)引入硅原料和掺杂剂以沉积所要的薄膜；c)吹入氢气以去除硅原料和掺杂剂 冷却到室温 吹走氢气并重新充入氮气 取出硅片 5-5 硅的异质外延Heteroepitaxy 在蓝宝石（α－AI2O3） 、尖晶石(MgO. AI2O3)衬底上外延生长硅 SOS :Silicon on Sapphire Silicon on Spinel 在绝缘衬底上进行硅的SOI异质外延。 SOI: Silicon on Insulator Semiconductor On insulator 其他硅基材料GeSi/Si SOI材料可实现完全的介质隔离．与有P—N结隔离的体硅相比，具有高速率、低功耗、集成度高、耐高温等特点， IBM公司的研究表明：SOI电路与传统的体硅电路相比，功耗可降低2／ 3，在1V的电压下可在GHz的范围内工作，使用SOI CMOS可将体硅CMOS工艺极限推至0 .1um，并能在工艺设计上实现三维多功能集成，特别适合应用于制造超大规模集成电路(U