6-第三章实验7~9资料.doc

实验七 存储器EM实验 实验目的 了解模型机中程序存储器EM 的工作原理及控制方法。 实验要求 利用CP226 实验仪上的K16..K23 开关为数据总线DBUS 设置数据，其它开关做为控制信号输入，实现程序存储器EM 的读写操作。 实验原理 存储器EM 由一片6116（2K×8bit）静态 RAM 构成，实验仪中将地址线A10~A8固定接地，所以为用户提供的实际内存地址是A7~A0。6116的低8位地址线（A7~A0），与外部地址总线ABUS7~ABUS0相连，存储器EM 的地址可选择由PC或MAR 提供。6116的8位数据线（D7~D0）通过一片八总线收发器74HC245（三态输出）与数据总线DBUS7~DBUS0相连。存储器EM 的数据输出还直接送到指令总线IBUS，指令总线IBUS 的数据还可以来自另一片74HC245，如下图。 EM原理图 当要对6116进行读操作时，应使片选端 (图中为)为低电平，读控制端 (图中为)为低电平，写控制端为高电平； 当要对6116进行写操作时，应使片选端为低电平，写控制端为低电平, 读控制端为高电平。 当ICOE 控制端为0 时(片选端为低电平)，与指令总线IBUS连接的74HC245 输出指令B8h），在IBUS上产生中断信号。 存储器操作涉及存储器EM、地址寄存器MAR、指令计数器PC、指令寄存器IR以及IREN（指令寄存器IR及微指令寄存器uPC写允许PCOE（指令计数器PC输出允许）、MAROE（地址寄存器MAR输出允许）、MAREN（地址寄存器MAR写允许）、EMEN（存储器EM与数据总线连通）、EMRD（存储器EM的数据读出到数据总线）、EMWR（数据总线的数据写到存储器EM）等控制信号。 地址寄存器MAR用来存放要进行读或写的存储器EM的地址。其内容经数据总线DBUS写入，因此必须在数据总线上具有数据后，配合MAR允许写的信号MAREN，在时钟上升沿跳变时写入。 当要向存储器EM读或写数据时，必须指明读、写EM哪个地址的内容。这个地址则由地址寄存器MAR或指令计数器PC通过地址总线ABUS给出。因此在地址寄存器MAR设置了地址后，配合MAR允许输出的信号MAROE，以及存储器EM被选通并允许写的时候，数据总线上的数据才会写到MAR指定的地址中。 实验内容 连接线表 注：J2与J3连接用来将数据总线与开关K23-K16连接，以便设置数据，传送到PC或MAR等寄存器。 打开电源 按以下实验内容设置信号，观察结果。 PC/MAR 输出地址选择 按下表置控制信号，观察地址输出指示灯 结合实验四的内容以及本实验系统的寻址方式讨论： 地址总线 MAREN设为允许写MAR。 产生脉冲，将00h 写到中。 MAR的值 将数据写入EM中 用开关K23~K16，向DBUS中写入数据11h 设置MAR为允许输出，EM选通并设为允许写。 按STEP键, 将数据11H写入。 数据11H的地址是 反复上述操作将7Ch写到EM[01]；将12h写到EM[02] ；将56h写到EM[03]。 操作步骤 讨论存储器写入过程和必要条件 存储器EM 读实验 继续上面的实验，下面步骤将读出前面放在存储器中的数据。 在MAR中设置存储器地址 用开关K23~K16，向DBUS中写入数据00h（表示选择地址00h） MAREN设为允许写MAR。 产生脉冲，将00h 写到MAR中。 MAR的值是 读EM中的数据 设置MAR为允许输出，EM设为允许读。 EM[00h]地址中的数据 反复上述操作，读出EM[01]、 EM[02]、EM[03] 地址中的数据，填在下表中。 EM地址(H) 数据 00 01 02 03 讨论 存储器读出过程 存储器EM中的数据（指令）送到指令寄存器IR和微程序计数器uPC 存储器中存放的不是程序的指令就是数据。当程序已经在存储器中时，按照程序计数器PC的指示取出一条指令，送到指令寄存器IR进行译码，以便产生相应的控制操作。在计算机中一条指令的功能就是通过按一定次序执行一系列基本操作完成的，这些基本操作就是微指令，指示微操作执行顺序的是微程序计数器uPC。 将存储器EM的程序指令送到IR和uPC应解决以下几个问题： EM中哪个地址中的数据要送出？ 应该给出什么控制信号？ 结合实验四、五、六的操作讨论执行过程 在MAR中设置存储器地址 用开关K23~K16，向DBUS中写入数据00h（表示地址00h） MAREN设为允许写MAR。 产生脉冲，将00h 写到MAR中。 MAR的值是