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【附錄A】二極體的原理： 半導體的導電性能介於金屬和絕緣體之間，。一般是固體，例如鍺(Ge)，矽(Si)和某些化合物等材料。半導體中通常摻雜一些少量導電物質，稱為雜物(impurity)。這些外來的物質可以增加或減少半導體中的電子或電洞的平均密度。經由摻雜改變半導體材料特性(如導電性)。它們的特性可因此而得到重大的改變。現在先研究一下原子本身的結構。並討論它如何能夠影響材料的電性。原子是由三種基本質點組成的：電子(electron)，質子(proton)，和中子(neutron)。在原子晶格中，中子和質子構成原子核(nucleus)，而電子則在固定的軌道(orbit)上圍繞著原子核運轉。半導體鍺和矽原子的波耳模型如圖1所示。鍺原子有32個電子，矽則有14個。這兩個原子的最外層上有四個電子，稱為價電子。在純的鍺晶體或矽晶體中，這四個價電子都是被束縛在相鄰四個原子之間如圖2所示，這種由共用電子而形成的聯繫被稱為共價鍵(covalent bonding)。這類共價鍵會使得價電子和它們的母原子之間的聯繫較強些，但是價電子仍然能夠由自然原因上吸收足夠的動能而拆散共價鍵，達到自由狀態。這類自然原因中包括光能以及來自周圍介質的熱能等作用在內。所以溫度改變時，半導體材料中由電子大量的增加，自由電子的增加使電阻降低。在室溫下，每立方公分的本質材料中有約1個自由電子，亦稱為自由載子(carrie