单片机存储器的扩展(part180C51)解释.pptVIP

5.4数据存储器的扩展 5.4.1随机存储器概述 数据存储器就是随机存储器，简称RAM（RAM：Random Access Memory）。与ROM不同，对RAM可以进行读写两种操作。 按半导体工艺，RAM分为MOS型和双极型。MOS型集成度高，功耗低，价格便宜，但速度较慢。而双极型则正好相反。在单片机系统中使用的大多数是MOS型的RAM，它们的输入输出信号能与TTL相兼容，因此在扩展中信号连接是很方便的。 按工作方式，RAM分为静态（SRAM）和动态（DRAM）。静态RAM只要加上电源，所存信息就能可靠保存。而动态RAM使用的是动态存储单元，需要不断进行刷新以便周期性地再生，才能保存信息。动态RAM集成密度大、功耗低、价格便宜，但需增加刷新电路，因此只适用于较大的系统，而在单片机系统中很少使用。 按扩展方式，RAM分为并行RAM和串行RAM。 5.4.2片外数据存储器扩展时的总线功能和读、写操作时序 80C51单片机，对片外数据存储器读、写操作的指令有以下四条： MOVX A, ＠Ri; 片外RAM→(A)，读( /RD)操作 MOVX ＠Ri, A; (A)→片外RAM，写(/WR)操作 这组指令由于＠Ri只能提供8位地址，因此，仅能直接扩展256个字节的片外RAM。 MOVX A, ＠DPTR ; 片外RAM→(A)，读操作 MOVX ＠DPTR, A ; (A)→片外RAM，写操作 这组指令由于＠DPTR能提供16位地址，因此，可以扩展 64 KB的片外 RAM。 这四条指令都是双机器周期指令。 “MOVX A,＠DPTR”和“MOVX @DPTR,A”的操作时序见图所示。 从图中可以看出，执行该组指令时，机器周期1为取指周期，在取指周期的S5状态时，ALE的下降沿，在P0总线上出现的是数据存储器的低8位地址，即DPL；在P2口上出现的是数据存储器的高8位地，即DPH。 取指操作之后，直至机器周期2的S3状态之前，/PSEN一直维持高电平。而在机器周期2的S1与S2状态之间的ALE不再出现。 执行“MOVX A,＠DPTR”时，从机器周期2开始到S3状态，/RD出现低电平。此时允许将片外数据存储器的数据送上P0口，在/RD的上升沿将数据读入累加器A。数据为输入。执行“MOVX ＠DPTR，A”时，从机器周期2开始到S3状态，/WR出现低电平。此时P0口上将送出累加器A的数据，在/WR的上升沿将数据写入片外数据存储器中。数据为输出。 图 “MOVX A,@DPTR” 和“MOVX @DPTR,A” 指令操作时序 总之，此时P0口为地址、数据复用总线；P2口在机器周期1的S4状态之后出现锁存的高8位地址（DPH）；用控制线来控制数据总线上的数据传输方向：/RD有效时数据为输入，/WR有效时数据为输出。 5.4.3数据存储器扩展用典型芯片 数据存储器扩展常用随机存储器芯片，用的较多的是Intel的6116(2K×8)、6264(8K×8) 、62128(16K×8 、62256(32K×8) 、62512(64K×8)等型号，它们都是SRAM，CMOS工艺，因此具有低功耗的特点。在维持状态下只需几个微安电流，很适宜作需断电保护或需长期低功耗状态下工作的存储器。另外EEPROM除可用作程序存储器扩展外，还可作为数据存储器扩展。 6116 SRAM引脚见教材P127图5.10(P127图6.8)所示，说明如下： A10～A0：地址线　　　　　　/WE：写选通信号 D7～D0:数据线　　　　　　　/CE：片选信号 /OE：数据输出允许信号 　　6116共有四种工作方式：未选中、禁止、读出、写入（见教材P127表5-4/表6.2）。 5.4.4数据存储器扩展举例 在80C51的扩展系统中，片外数据存储器一般由随机存取存储器组成，最大可扩展64KB。数据存储器扩展与程序存储器扩展在数据线、地址线的连接上是完全相同的。所不同的只在于控制信号，程序存储器使用/PSEN作为读选通信号，而数据存储器则使用/RD和/WR分别作为读、写选通信号 1、单片数据存储器扩展 例：见图所示（或见教材P127图5.11/图6.9）。这里使用了一片6116实现了2KB RAM扩展。在扩展连接中，以/RD信号接芯片的/OE端，以/WR信号接/WE端，进行RAM芯片的读写控制。由于假定系统只有一片6116，因此没有使用片选信号，而把/CE端直接接地。这种情况下，6116的