东北大学数电第六章半导体存储器解释.ppt

2、E2 PROM 第6章 半导体存储器 特点： 用电气方法在线擦除和编程的只读存储器。 存储单元采用浮栅隧道氧化层MOS管。 写入的数据在常温下可以保存十年以上，擦除/写入次数为 1万次～ 10万次。 因擦除改写时间较长，一般作为只读存储器用。 图6-6 浮栅隧道氧化层MOS管结构及符号 氧化层极薄的隧道区，存在电容。 2、E2 PROM 第6章 半导体存储器 当GC与D之间加高压时(可正可负)，薄氧化层被击穿，形成导电隧道，漏区电子可以到达浮栅(GCD间加正电压)，浮栅电子也可以到达漏区(GCD间负电压)，因此写入和擦除都可以通过电信号来实现。 图6-7 存储单元 根据浮置栅上是否有电荷来区分1和0。 2、E2 PROM 第6章 半导体存储器 3．快闪存储器(Flash Memory) 采用与EPROM中的叠栅MOS管相似的结构，同时保留了E2PROM用隧道效应擦除的快捷特性。理论上属于ROM型存储器；功能上相当于RAM。 擦除和改写电压较E2PROM小，且擦除时间短。集成度高、容量大、成本高、使用方便，应用广泛。 第6章 半导体存储器 图6-8 快闪存储器中的MOS管及单元电路 （a） （b） 3．快闪存储器(Flash Memory) 浮栅与源区的重叠部分面积极小，形成隧道区的电容也很小， 所以，当控制栅和源极之间加电压时，大部分电压将