(微电子)半导体器件第七章_BJT研究.pptVIP

第七章 双极型晶体管 基本结构 载流子流动情况及工作原理 理想晶体管的直流输入输出特性 二级效应 击穿特性 高频特性 开关特性 晶体管模型 双极型晶体管的结构 晶体管结构示意举例 晶体管的工作原理 晶体管中的电流传输 共基极电流放大系数 共发射极电流放大系数 晶体管中的少子分布 晶体管的直流特性 共基极输入、输出特性 共发射极输入、输出特性 发射极电流集边效应 基区宽度调变效应（Early效应） Early效应对共基极输入、输出特性影响 Early效应对共射极输入、输出特性影响 Kirk 效应（有效基区扩展效应） Kirk 效应（有效基区扩展效应） 晶体管的击穿特性 晶体管的高频效应 晶体管的高频特性 晶体管的高频特性 晶体管的开关特性 ?? 截止电流 晶体管的开关特性 ?? 饱和现象 晶体管的开关特性 ?? 饱和压降 晶体管的开关特性 ?? 开关时间 晶体管的开关特性 ?? 储存时间 晶体管的开关特性 ?? 储存时间 共基极低频小信号模型 多晶硅发射极BJT 工艺：在发射区窗口淀积多晶硅，然后进行发射极扩散。这时磷（或者砷）在多晶层很快扩散而到单晶区扩散速度减缓，形成浅、侧向扩散小而陡峭的杂质分布 特点：自对准（有利于减小器件尺寸）、高发射系数。 重点内容 决定电流增益的因素 提高频率特性的途径 提高开关速度的途径 改善小电流特性的途径 改善大电流特性的途径 比较MOSFET和BJT 习题 列出理想晶体管的限制条件。 写出理想共基极直流电流增益与晶体管结构参数之间的关系。 有那些非理想因素影响共基极直流电流增益。 写出特征频率与晶体管结构参数之间的关系，指出提高特征频率的途径？ 画出特征频率随集电极电流变化的曲线。 提高晶体管开关特性的途径。 BJT的Ebers-Moll § 2.5 晶体管的模型 一. Ebers-Moll 方程（本征晶体管） 其中 ? ? ?RIR ?FIF IF IR Ie Ic Ib E B C 其中 规定：端电流流入为正 Ebers-Moll方程： 场氧化 场氧化 多晶发射区 N N阱（集电极） P型外延层 * n+ p n E B C 发射区 基区 集电区 p+ n p E B C 发射区 基区 集电区 E C B npn E C B pnp 合金管 平面管 放大条件： 2o Wb Lnb 3o 发射结正偏 4o 集电结反偏 n+ p n E B C Ie Ic Ib RE RL Vbe Vcb 热平衡 放大偏置 1o Nb Ne 1. 电流传输 Ine ? Inc 1 ? ? 1 集电结倍增因子 基区传输系数 发射效率（注入比） ? 1 （当 Ne / Nb 1 时） ? 1 （当 Wb Lnb 时） Ie Ib Ic Vbe Vcb 1 Ib Ie Ic Vbe Vce 例如：? = 0.99，则 ? ? 100 ? 0 ? 0 N+ P N Wb 0 x -x1 x2 x2 正偏 反偏 发射结电流 电子： 空穴： 基区电流 电子： 空穴（复合电流）： 但 Jne略大于 Jnc 发射效率 （注入比） 基区输运系数 （当 Wb Lnb 时） Ie Ib Ic Vbe Vcb IE / mA VBE / V VCB 输入特性 输出特性 Ib Ie Ic Vbe Vce VCE 输入特性 输出特性 发射极势垒区复合的影响 发射极势垒区复合 ? ?Seff ：发射极有效半宽 z y x Se J (?Seff) = J (0) / e … … E B rbb’ N+ P N Wb* Wb Vcb ? Wb* ? dnb/dx ? Ine ? Ic ? Early 电压 E B C Early 效应 输入特性 输出特性 Vbe 不变，Vcb? ? Wb? ? npb0/Wb（斜率）? ? Ine (? Ie) ? 输入特性 输出特性 B E C Early 效应 Early 效应 Vbe 不变，Vcb ? ? Wb ? ? Ivb（复合）? ? Ib ? p n? x n+ E 集电区大注入：nc ~ Nc 集电极电流 Jc ? nc ? q ( Nb+ nc ) q ( Nc ? nc ) 饱和漂移速度 ? Kirk 效应 中性 nc = Nc nc Nc - - - - - - - - - - - - - - 临界 Jc0 nc = nc0 Emax Jc Jc0? Wb ? Wb + ?Wb ? ? ? ? ? ? Kirk 效应 Kirk效应发生的条件: 基区穿通 n+ n xc p n+ p n? n+ (Nc) x E Emax 0 Wc xmc’ 集电区穿通 re res CTe CDe rbb’ ? CDc CTc rc r