- 1、本文档共5页,可阅读全部内容。
- 2、原创力文档(book118)网站文档一经付费(服务费),不意味着购买了该文档的版权,仅供个人/单位学习、研究之用,不得用于商业用途,未经授权,严禁复制、发行、汇编、翻译或者网络传播等,侵权必究。
- 3、本站所有内容均由合作方或网友上传,本站不对文档的完整性、权威性及其观点立场正确性做任何保证或承诺!文档内容仅供研究参考,付费前请自行鉴别。如您付费,意味着您自己接受本站规则且自行承担风险,本站不退款、不进行额外附加服务;查看《如何避免下载的几个坑》。如果您已付费下载过本站文档,您可以点击 这里二次下载。
- 4、如文档侵犯商业秘密、侵犯著作权、侵犯人身权等,请点击“版权申诉”(推荐),也可以打举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
查看更多
退耦电容的择和应用
退耦电容的选择和应用(zz)nilau 发表于 2007-10-13 14:09:00 关键词:去耦(decouple)、旁路(Bypass)、等效串联电感(ESL)、等效串联电阻(ESR)、高速电路设计、电源完整性(PI)、信号完整性(SI)
?????
?????????? 高手和前辈们总是告诉我们这样的经验法则:“在电路板的电源接入端放置一个1~10μF的电容,滤除低频噪声;在电路板上每个器件的电源与地线之间放置一个0.01~0.1μF的电容,滤除高频噪声。”在书店里能够得到的大多数的高速PCB设计、高速数字电路设计的经典教程中也不厌其烦的引用该首选法则(老外俗称Rule of Thumb)。但是为什么要这样使用呢?各位看官,如果你是电路设计高手,你可以去干点别的更重要的事情了,因为以下的内容仅是针对我等入门级甚至是门外级菜鸟。?????????? 做电路的人都知道需要在芯片附近放一些小电容,至于放多大?放多少?怎么放?将该问题讲清除的文章很多,只是比较零散的分布于一些前辈的大作中。鄙人试着采用拾人牙慧的方法将几个问题放在一起讨论,希望能加深对该问题的理解;如果很不幸,这些对你的学习和工作正好稍有帮助,那我不胜荣幸的屁颠屁颠的了。??????????? 首先就我的理解介绍两个常用的简单概念。??????????? 什么是旁路?旁路(Bypass),是指给信号中的某些有害部分提供一条低阻抗的通路。电源中高频干扰是典型的无用成分,需要将其在进入目标芯片之前提前干掉,一般我们采用电容到达该目的。用于该目的的电容就是所谓的旁路电容(Bypass Capacitor),它利用了电容的频率阻抗特性(理想电容的频率特性随频率的升高,阻抗降低,这个地球人都知道),可以看出旁路电容主要针对高频干扰(高是相对的,一般认为20MHz以上为高频干扰,20MHz以下为低频纹波)。?????????? 什么是退耦?退耦(Decouple),最早用于多级电路中,为保证前后级间传递信号而不互相影响各级静态工作点的而采取的措施。在电源中退耦表示,当芯片内部进行开关动作或输出发生变化时,需要瞬时从电源线上抽取较大电流,该瞬时的大电流可能导致电源线上电压的降低,从而引起对自身和其他器件的干扰。为了减少这种干扰,需要在芯片附近设置一个储电的“小水池”以提供这种瞬时的大电流能力。?????????? 在电源电路中,旁路和退耦都是为了减少电源噪声。旁路主要是为了减少电源上的噪声对器件本身的干扰(自我保护);退耦是为了减少器件产生的噪声对电源的干扰(家丑不外扬)。有人说退耦是针对低频、旁路是针对高频,我认为这样说是不准确的,高速芯片内部开关操作可能高达上GHz,由此引起对电源线的干扰明显已经不属于低频的范围,为此目的的退耦电容同样需要有很好的高频特性。本文以下讨论中并不刻意区分退耦和旁路,认为都是为了滤除噪声,而不管该噪声的来源。?????????? 简单说明了旁路和退耦之后,我们来看看芯片工作时是怎样在电源线上产生干扰的。我们建立一个简单的IO Buffer模型,输出采用图腾柱IO驱动电路,由两个互补MOS管组成的输出级驱动一个带有串联源端匹配电阻的传输线(传输线阻抗为Z0)。
????????? 为了做成纯文档的格式,尽量采用文字说明,不不采用图片,这样给理解带来一定的困难,看官们见笑了。设电源引脚和地引脚的封装电感和引线电感之和分别为:Lv和Lg。两个互补的MOS管(接地的NMOS和接电源的PMOS)简单作为开关使用。假设初始时 刻传输线上各点的电压和电流均为零,在某一时刻器件将驱动传输线为高电平,这时候器件就需要从电源管脚吸收电流。在时间T1,使PMOS管导通,电流从PCB板上的VCC流入,流经封装电感Lv,跨越PMOS管,串联终端电阻,然后流入传输线,输出电流幅度为VCC/(2×Z0)。电流在传输线网络上持续一个完整的返回(Round-Trip)时间,在时间T2结束。之后整个传输线处于电荷充满状态,不需要额外流入电流来维持。当电流瞬间涌过封装电感Lv时,将在芯片内部的电源提供点产生电压被拉低的扰动。该扰动在电源中被称之为同步开关噪声(SSN,Simultaneous Switching Noise;SSO,Simultaneous Switching Output Noise)或Delta I噪声。??????????? 在时间T3,关闭PMOS管,这一动作不会导致脉冲噪声的产生,因为在此之前PMOS管一直处于打开状态且没有电流流过的。同时打开NMOS管,这时传输线、地平面、封装电感Lg以及NMOS管形成一回路,有瞬间电流流过开关B,这样在芯片内部的地结点处产生参考电平点被抬高的扰动。该扰动在电源系统中被称之为地弹噪声(Grou
您可能关注的文档
最近下载
- 2023-2024学年高中下学期主题班会 世界读书日 读书,是门槛最低的高贵 课件 .pptx VIP
- 化解小学生争吵主题班会PPT课件.pptx VIP
- 儿童保健学试题库.pdf VIP
- CB-T 46-2007 船用搭焊钢法兰.pdf VIP
- 完整版老旧小区雨污分流改造工程施工组织设计方案(最全).doc
- 2023年广东省深圳市光明区中考二模物理试题(含答案解析).docx
- 四川省成都市石室中学2024届高二下学期期中半期考试物理试题(含答案及解析).docx
- 广东省深圳市宝安区2023-2024学年四年级下学期英语期中试卷(含答案).pdf VIP
- 2025届高考英语专项复习 非谓语动词 2020-2024高考真题专练(原卷版+解析版).docx VIP
- (完整版)高中生物必修二知识点总结(人教版复习提纲)期末必备-推荐文档.doc
文档评论(0)