第二章MOVPE生长系统.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 反射差分光谱仪 氙灯（L）发出的光，经起偏棱镜（P）变成偏振光，近垂直地入射聚焦到衬底表面。反射光经过光弹性调节器（PEM）、分析棱镜（A）、再聚集到单色仪（MC）入射狭缝，最后到达探测器（MC）。 反射差分分光谱RDS装置示意图 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 分光椭圆偏振仪 分光椭圆偏振(spectroscopic ellipsometry,SE)是测量线偏振光在非垂直入射情况下，来自样品表面的反射光偏振状态的变化。 与RDS不同，SE可以用于与立方晶体(111)面光学各向同性重构表面或六方晶体(0001)面。SE用于在蓝宝石上生长GaN时的核化层研究。由于介电常数与化学组分有关，SE也可以用来检测和控制三元或四元固溶体的组分。 配备分光部件的椭圆偏振仪的MOVPE反应室示意图 入射角通常接近布儒斯特角，对大多数半导体而言约为70o。光通过入射窗口，聚焦在衬底表面。 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 分光椭圆偏振仪 反射差分光谱仪（RAS）和分光椭圆偏振仪（SE）同时与MOVPE反应室耦合的剖面图 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 表面光吸收仪 表面光吸收(surface photoabsorption,SPA)是比较简单的在位检测技术，仅需要入射光的能量高于带隙的p极化光源(偏振平行于入射平面)和一个记录反射光信号的探测器。 SPA适合于研究原子层外延生长，如SPA经常用于研究GaInP的有序化，SPA还应用于研究外延生长前衬底表面氧化物的清除和陡峭界面组分的变化。 表面光吸收仪与MOVPE反应室耦合的剖面示意图 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 光束挠度计 光束挠度计(deflectometer)用来测量外延片的翘曲曲率，从而计算异质外延生长时由于晶格失配和热失配所产生的应力。 原位衬底翘曲测量已应用到GaN基LED生长上，改变生长参数使在生长InGaN量子阱时衬底处于平坦状态与基座有良好的热接触，改善了衬底温度均匀性，从而提高了器件发射波长的均匀性。 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 光束挠度计 外延层生长过程中的衬底应力测量装置示意图 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 光束挠度计 利用激光束近垂直入射到翘曲的外延片上反射光斑的位移，测量翘曲曲率，从而计算出应力。 曲率κ与应变之间的关系通常采用经典的Stoney公式计算： Mf=Ef/(1-vf)，Ms=Es/(1-vs) Ef、vf、hf和Ms、Es、vs分别为外延膜和衬底的杨氏模量、泊松比和厚度。膜应力为 MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 激光光散射仪(Laser light scattering, LLS)：研究外延表面形貌 红外反射吸收谱仪(Infrared reflection absorption spectroscopy, IRRAS)：研究表面MO源的吸附与分解 掠入射X射线衍射技术(Grazing incidence X-ray diffraction, GIXS)：利用同步回旋辐射产生的高亮度X射线和特殊设计的含铍窗口的研究表面再构 扫描隧道显微镜镜头：可以在650℃的高温和MOVPE振荡(主要来自抽气泵)的环境下获取生长表面的生长台阶和量子点的图像 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * MOVPE气体输运分系统 MOVPE生长反应室分系统 MOPVE尾气处理分系统 MOVPE生长控制装置分系统 MOVPE外延层生长原位监测 MO源供应子系统 双稀释管路： 用在注入反应室的摩尔流量特别小而MO源的蒸汽压又高的掺杂源管