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新型硅控整流器（SCR）的数字和 高压的ESD电源钳位 汇报人 : 马艺珂 刘明雪 王 鑫 背景知识 随着集成电路特征尺寸不断减小，静电放电（Electrostatic Discharge，ESD）的影响已经成为制约集成电路产品可靠性的重要原因。据统计，集成电路产品电学失效机制中，大约有40%与ESD冲击有关。为了提高集成电路抗ESD冲击能力，就必须对内部电路进行ESD保护电路设计。 有效的ESD钳位保护电路可以大大提升整个芯片的抗ESD的能力，必须具备以下特点： 触发电压适当。一方面要较小，便于及时触发；另一方面要大于VDD与VSS的电压差，避免VDD和VSS导通。 导通电阻小，能容纳ESD泄放时的大电流。 泄漏电流小。电路正常工作时，钳位电路应处于关闭状态，泄漏电流必须足够小，否则会影响内部电路性能和增大电路的静态功耗。 能够防止闩锁效应。由于钳位电路处于电源/地之间，屏蔽闩锁尤为重要，否则会使整个电路失效。 闩锁效应 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成正反馈形成闩锁。 静电是一种看不见的破坏力，会