第15章基本放大电路摘要.ppt

本章要求： 放大的概念: 15.1 共发射极放大电路的组成 15.1 共发射极放大电路的组成 15.1 基本放大电路的组成 15.1 共发射极放大电路的组成 3. 输入电阻 15.1.4 共射放大电路的电压放大作用 结论： 15.1.4. 共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 1. 实现放大的条件 2. 直、流通路和交流通路 15.2 放大电路的静态分析 15.2.1 用放大电路的直流通路确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 15.2.2 用图解法确定静态值 用图解法求静态值的一般步骤： 15.3 放大电路的动态分析 15.3.1 微变等效电路法 15.3.1 微变等效电路法 动态分析图解法 动态分析图解法 2. 非线性失真 2 非线性失真 15.4 静态工作点的稳定 15.4.1 温度变化对静态工作点的影响 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 15.4.2 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 15.6 射极输出器 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 放大电路的三种组态 多级放大电路及其级间耦合方式 1. 阻容耦合 例2: 解: 解: 解: 15.7 差分放大电路 15. 7. 1 差分放大电路的工作情况 1. 零点漂移的抑制 2. 有信号输入时的工作情况 2. 有信号输入时的工作情况 (3) 比较输入 (3) 比较输入 15. 7. 2 典型差分放大电路 15. 7. 2典型差分放大电路 15.8 互补对称功率放大电路 15.8.1 对功率放大电路的基本要求 15.8.2 互补对称放大电路 1. OTL电路 复合管的类型与第一个晶体管T1的类型相同，与第二个晶体管T2的类型无关。 15.8.3 集成功率放大器 15.9 场效应管及其放大电路 15.9.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 15.9.3 场效应管放大电路 15.9.3 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 二、 动态分析 (2) 动态分析 (3) 特性曲线 有导电沟道 转移特性曲线 无导电 沟道 开启电压UGS(th） UDS UGS/ ID/mA UDS/V o UGS= 1V UGS= 2V UGS= 3V UGS= 4V 漏极特性曲线 恒流区 可变电阻区 截止区 N型衬底 P+ P+ G S D 符号： 结构 (4) P沟道增强型 SiO2绝缘层 加电压才形成 P型导电沟道 增强型场效应管只有当UGS ? UGS(th）时才形成导电沟道。 G S D 符号： 如果MOS管在制造时导电沟道就已形成，称为耗尽型场效应管。 (1 ) N沟道耗尽型管 SiO2绝缘层中 掺有正离子 予埋了N型 导电沟道 由于耗尽型场效应管预埋了导电沟道，所以在UGS= 0时，若漏–源之间加上一定的电压UDS，也会有漏极电流 ID 产生。 当UGS 0时，使导电沟道变宽， ID 增大； 当UGS 0时，使导电沟道变窄， ID 减小； UGS负值愈高，沟道愈窄， ID就愈小。 当UGS达到一定负值时，N型导电沟道消失， ID= 0，称为场效应管处于夹断状态（即截止）。这时的UGS称为夹断电压，用UGS(off）表示。 这时的漏极电流用 IDSS表示，称为饱和漏极电流。 (2) 耗尽型N沟道MOS管的特性曲线 夹断电压 耗尽型的MOS管UGS= 0时就有导电沟道，加反向电压到一定值时才能夹断。 UGS(off) 转移特性曲线 0 ID/mA UGS /V -1 -2 -3 4 8 12 16 1 2 UDS=常数 U DS UGS=0 UGS0 UGS0 漏极特性曲线 0 ID/mA 16 20 12 4 8 12 16 4 8 IDSS (3) P 沟道耗尽型管 符号： G S D 予埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 G S D G S D 增强型 N沟道 P沟道 G S D G S D N沟道 P沟道 G、S之间加一定 电压才形成导电沟道 在制造时就具有 原始导电沟道 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS：