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2016微电子工艺双极
* * * * * * * * * §1 双极型（NPN）集成电路工艺 (典型的PN结隔离工艺) Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 思考题 1.与分立器件工艺有什么不同？ 2.埋层的作用是什么？ 3.需要几块光刻掩膜版(mask)? 4.每块掩膜版的作用是什么？ 5.器件之间是如何隔离的？ 6.器件的电极是如何引出的？ Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * P-Sub 衬底准备（P型） ?光刻n+埋层区 ?氧化 ?n+埋层区注入 ?清洁表面 1.衬底准备 2.第一次光刻——N+隐埋层扩散孔光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * P-Sub ?生长n-外延 ?隔离氧化 ?光刻p+隔离区 ?p+隔离注入 ?p+隔离推进 N+ N+ N- N- 3.外延层淀积 4.第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * ?光刻硼扩散区 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ ?硼扩散 5.第三次光刻——P型基区扩散孔光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * ?光刻磷扩散区 ?磷扩散 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P 6.第四次光刻——N+发射区扩散孔光刻 氧化 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * ?光刻引线孔 ?清洁表面 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P 7.第五次光刻——引线接触孔光刻 氧化 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * ?蒸镀金属 ?反刻金属 P-Sub N+ N+ N- N- P+ P+ P+ P P 8.第六次光刻——金属化内连线光刻 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * NPN晶体管剖面图 AL SiO2 B P P+ P-SUB N+ E C N+-BL N-epi P+ Epitaxial layer 外延层 Buried Layer Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 埋层的作用 1.减小串联电阻（集成电路中的各个电极均从上表面引出，外延层电阻率较大且路径较长） B P-Sub SiO2 光刻胶 N+埋层 N–-epi P+ P+ P+ SiO2 N–-epi P P N+ N+ N+ 钝化层 N+ C E C E B B 2.减小寄生pnp晶体管的影响 Evaluation only. Created with Aspose.Slides for .NET 3.5 Client Profile 5.2.0.0. Copyright 2004-2011 Aspose Pty Ltd. * 隔离的实现 1.P+隔离扩散要扩穿外延层，与p型
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