辽宁科技大学-科学基础-纯金属的凝固课程.pptVIP

1.在正的温度梯度下 ： 1）光滑界面 光滑界面生长时，原子必须通过台阶的侧向而扩展，所以界面是台阶状，小平面与Tm等温面呈一定角度。在dT/dx＞0时，这些小平面也不能过多地凸向液体，所以界面从宏观上看也是平行于Tm等温面的（随x ?, △Tk ?,υ? ）。因此，受小平面长大的制约，以“小平面长 大”方式长大长成“规则的几何外形”。 界面推进速度及方向 晶面法向长大方向 1.在正的温度梯度下： 2）粗糙界面时 按“垂直生长”机理而长大，当界面上有偶尔凸起而进入温度较高的液体中时，因过冷度下降晶体生长速度就会减慢甚至停止，周围部分会长上来使凸起消失，固液界面为稳定的平面状（随着x ?, △Tk ? ,υ ? ）。晶体生长以接近平面状向前推移，最后长成“平面状”。 小凸起 平直化 2.在负的温度梯度下 ：1. 粗糙界面 液、固两相均散热，结晶潜热向液、固两侧散失 按“垂直生长机理”生长时，界面以树枝方式长大。 以二次晶轴、三次晶轴方式生长的树枝状结晶。 2. 非均匀形核 依附在已存在于液相中的固态现成界面或容器表面上形核的方式。 非均匀形核规律和均匀形核基本相同，所不同的是：依附于固态现成表面上形核，界面能降低，结晶阻力减小，所需的形核功小了。 在现成的基底上形成一个晶核时其能量变化，然后再计算非均匀形核的r*和形核功。 非均匀形核示意图 设液相L中有杂质颗粒w，在其表面形成晶核α，晶核为球冠状，曲率半径为r。 当晶核稳定存在时，三种表面张力在交点处达到平衡： σLW =σαW+σαL cosθ 吉布斯自由能变化为： ΔG=V?ΔGV +A?σ 假设在平面基底（W）上形成球冠晶核α,晶核形成时，增加的表面能为： 其中 分别为晶核与液相、晶核与基底、液相与基底间的比表面能。 准备工作： 球冠体积：Vα= πr3（2–3cosθ + cos3θ） 晶核与液体的接触面积S1 ：AαL = 2πr2（1-cosθ） 晶核与杂质的接触面积S2：AαW = πr2 sin2θ θ--晶核与基底接触角，称湿润角。 σαl—晶核与液相之间的表面能。 σαw—晶核与基底之间的表面能。 σlw—液相与基底之间的表面能。 σLW =σαW+σαL cosθ = πr3(2-3cosθ+cos3θ)ΔGV+πr2σαL(2-3cosθ + cos3θ) 在现成基底W上，形成一个晶 核时总的自由能变化为ΔG非: ΔG非 = VαΔGV + ∑Aiσi = VαΔGV + AαLσαL + AαWσαW - AαWσLW = VαΔGV + AαLσαL + AαW (σαW - σLW) = VαΔGV + AαLσαL + AαW(-σαLcosθ) = VαΔGV +σαL(AαL - AαWcosθ) =πr3(2-3cosθ+cos3θ)ΔGV+σαL[2πr2(1-cosθ)-πr2sin2θcosθ] 其中 （2）求ΔG*非 = ？ 可见：非均匀形核的ΔG*非受r*非与θ两个因素的影响。 由于 r*非 = r* ，所以我们只讨论θ不同时ΔG*非的变化。 （1）求r*非 =？令ΔG *非式求导且等于零，得： 由此可以看出大小与均匀形核相同。 1）θ= 0时, ΔG*非 = 0 说明杂质本身就是晶核,不需要形核功。 2）θ= 180°时, ΔG*非 =ΔG*, 相当于均匀形核, 基底不起作用。 3）一般θ在0-180°之间变化。 或 ?G*非=?G*均?(θ) ?(θ)与润湿角θ关系 影响非均匀形核的因素（降低界面能） 影响非均匀形核的因素 a 过冷度：（N-△T曲线有一下降过程）。 b 外来物质表面结构：θ越小越有利。点阵匹配原理：结构相似， 点阵常数相近。 c 外来物质表面形貌：表面下凹有利。 （1）非均匀形核需较小的过冷度,相差10倍。 （2）随着过冷度的增加，形核速度由低向高的过渡平缓,不象均匀形核时那样有突增高的现象。 （3）随着过冷度增加形核速度达到最大值，曲线就下降并且中断（不需深度过冷）。 非均匀形核的形核率N与ΔT的关系 　　　　　　，较小的过冷度下可获得较高的形核率，但非均匀形核的最大形核率小于最大的均匀形核率 ΔT 较小时 : N非 较大 N 较小 （1）非均匀形核率 （