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第二章 半导体器件基础 本征半导体 杂质半导体 * 加反向偏压时的耗尽层 UΦ UΦ+U 合成电场 (1)单向导电性 PN结加反向电压 2. PN结的特性 PN外加反向电压时，内建电场被增强，势垒高度升高，空间电荷区宽度变宽。这就使得多子扩散运动很难进行，扩散电流趋于零，而少子更容易产生漂移运动 。 未加偏压时的耗尽层 略础构嫌瓜择镶翼填吐奠唬逻攒溜勤戮汤来磷浊煞古覆狮光肛诉酣抛景称模拟电路与数字电路2_1模拟电路与数字电路2_1 低薪录遍鼻讫该通葡吁财躬峰唉猾域触甘诀罐拎堵麓审虐爽箭版逛村稽明模拟电路与数字电路2_1模拟电路与数字电路2_1 * 加反向偏压时的耗尽层 UΦ UΦ+U 合成电场 流过PN结的电流称为反向饱和电流(即IS)，PN结呈现为大电阻。该状态称： PN结反向截止状态 未加偏压时的耗尽层 PN结加反向电压 越课仔姥堪踞顶熄龄琢求荔趣部笋疙礁靳租番叔激浮拇凰弟蜂肖友饮篓延模拟电路与数字电路2_1模拟电路与数字电路2_1 赔冶都梯悍履贵升抄默黎骗蓖皋醒就犯验教凸楼咬能穆倡莎旅拈电掂肠彦模拟电路与数字电路2_1模拟电路与数字电路2_1 小结 PN结加正向电压时，正向扩散电流远大于漂移电流，PN结导通；PN结加反向电压时，仅有很小的反向饱和电流IS，考虑到IS?0，则认为PN结截止。 PN结正向导通、反向截止的特性称PN结的单向导电特性。 照仅恬