现代电力电子技术第1章(Introduction4h)解读.ppt

肖特基二极管 反向恢复时间很短（10-40nS），开关损耗和正向导通损耗比快速二极管小,用于200V以下场合。 1.外型与电路符号 2.伏安特性 3.主要参数 断态重复峰值电压； 反向重复峰值电压； 通态(峰值)电压； 通态峰值电流； 维持电流； 擎住电流； 浪涌电流； 开通时间； 关断时间； 断态电压临界上升率； 通态电流临界上升率。 4.主要派生器件 (1)快速晶闸管FST 包括快速晶闸管和高频晶闸管，分别应用于400Hz和10kHZ以上斩波或逆变电路； 开关时间及du/dt和di/dt耐量明显改善：关断时间（普通晶闸管数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10微秒）； 与普通晶闸管相比，高频晶闸管电压和电流定额不高； 工作频率较高，选择快速晶闸管和高频晶闸管通态平均电流时，不能忽略其开关损耗发热效应。 (2)双向晶闸管TRIAC 一对反并联联接的普通晶闸管的集成； 主电极的正反两方向均可触发导通。 (3)逆导晶闸管RCT 同一管芯：晶闸管反并联一个二极管； 没有承受反向电压能力，用于不需要阻断反向电压电路； 正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高； 额定电流有两个：晶闸管电流和反并联的二极管的电流。 (4)光控晶闸管LTT 利用一定波长的光照信号触发导通； 光缆装有作为触发光源的发光二极管或半导体激光器； 保证主控电路的绝缘，避免电磁干扰影响； 高压大功率场合，如HVDC输电和HV核聚变装置占重要地位。 图11.发展趋势（高电压、大电流、低损耗、高开关频率） 1.GTR基本结构和特性 三层半导体材料,两个PN结；PNP和NPN型，常用NPN型； 三重扩散结构；可靠性高，改善器件的二次击穿特性，易于提高耐压能力，并且易于耗散内部热量。 2．达林顿GTR 电流增益低给驱动电路造成负担，达林顿结构是提高电流增益的有效方式； 达林顿结构由两个或多个晶体管复合而成，可以是PNP型或NPN型，其性质由驱动管决定； 达林顿GTR电流增益可为几十至几千倍； 达林顿GTR开关速度慢，因为无论是开通或关断，总是先要驱动管动作，而后输出管才动作，开关时间长； 3.GTR模块 将GTR管芯、稳定电阻、加速二极管及续流二极管等组装成一个单元，根据不同用途将几个单元组装在一个模块上。 大大提高器件集成度，使其小型轻量，性价比大大提高。 4.静态特性与参数 共射极电路输出特性是指集电结电压一电流特性，分4个区域：阻断区、线性区、准饱和区和饱和区。 阻断区又称截止区，类似开关处于断态，该区基极电流为零，GTR承受高压而仅有极小漏电流存在。发射结和集电结处于反偏状态。 线性区又称放大区，该区域集电极电流与基极电流间呈线性关系，特性曲线近似平直。集电结处于反偏而发射结改为正偏状态，应当尽量避免工作于线性区，否则功耗很大。 准饱和区指线性区与饱和区间区域，特性曲线明显弯曲，该区域随基极电流增加出现基区宽度调制效应，电流增益开始下降，集电极电流与基极电流间不再呈线性关系，仍保持集电结反偏、发射结正偏。 饱和区特征类似开关处于接通情况，该区域基极电流变化时集电极电流不随变化，电流增益与导通电压均很小。GTR发射结和集电结处于正偏状态。 2.GTR动态特性与参数 GTR常工作于开关状态，用导通、截止、开通、关断表示。 导通和截止表示GTR接通和断开两种稳定工作状态，开通和关断表示GTR由断到通或由通到断动态工作状况。 工作过程分为开通过程，导通状态，关断过程和阻断状态4个阶段。 开通时间ton ，包括延迟时间td和上升时间tr。 延迟时间td： 从输入基极电流正跳变瞬时开始，到集电极电流上升到最大（稳态）值10％所需时间叫延迟时间，它相应于基极电流向发射结电容充电过程，延迟时间的大小取决于发射结势垒电容的大小、初始正向驱动电流和上升率以及跳变前反向偏置电压大小。 上升时间tr： 集电极电流由稳态值的10％上升到90％所需的时间叫做上升时间，它与过驱动系数及稳态电流值有关，过驱动系数越大，上升时间越短；稳态值越小，上升时间越短。 存储时间tS： 从撤消正向驱动信号到集电极电流下降到最大（稳态）值90％所需时间为存储时间，它随过驱动系数增加而增加，随反向驱动电流增加而减小。存贮时间对应过剩载流子从体内抽走过程，想降低tS应使GTR工作于准饱和区。 下降时间tf： 集电极电流由其最大值90％下降到10％所需的时间称为下降时间，它主要取决于结电容和正向集电极电流。 一般开通时间为纳秒级，比关断时间小得多，手册一般不给出该参数。关断时间数值都在微秒数量级。为缩短关断时间可采取以下措施：选择电流增益小的器件，防止深饱和，增加反向驱动电流。 1. MOSFE