第5章晶体的感应双折射课件.pptVIP

当光沿x3轴方向传播时，电光延迟为: 式中，U3是沿x3轴方向的外加电压。当光沿x1?轴方向(或x2?轴方向)传播时，电光延迟为: 式中，l 是沿光传播方向上晶体的长度；d 是沿外加电压方向上晶体的厚度。 (2) 电场垂直于(110)面的情况 当外加电场方向垂直于(110)面时，感应主轴x3?垂直于(110)面，x1?和x2?的夹角为(001)面所等分，三个感应主折射率分别为: 式中，l 是晶体沿x3?轴方向的长度；d 是晶体沿垂直于(110)面的厚度。 这时晶体由各向同性变为双轴晶体，当光沿x3?方向传播时，电光延迟为: (3) 电场垂直于(111)面的情况 当外加电场方向垂直于(111)面时，晶体由各向同性变为单轴晶体，光轴方向(x3?)就是外加电场的方向，另外两个感应主轴x1?和x2?的方向可以在垂直于x3?轴的(111)面内任意选取。相应的三个主折射率为： 图 5-7 E垂直于(111)面的感应主轴 当光沿x3?轴方向传播时，没有电光延迟。当光沿垂直于x3?轴方向传播时，电光延迟为: 式中，l 为晶体沿光传播方向的长度；d 为晶体沿外加电场方 向的厚度。 作 业 1，2，3 U?/2 只与材料特性和波长有关，在实际应用中，它是表征晶体电光效应特性的一个很重要的物理参量。 例如，在 ? = 0.55 ?m 的情况下， KDP晶体：no=1.512，? 63=10.6×10-10cm/V，U? /2= 7.45 kV ; KD*P晶体：no=1.508，? 63=20.8×10-10cm/V, U? /2 = 3.8 kV。 当 ? = ? 时，相应于两个偏振光分量的光程差为半个波长，相应的外加电压叫半波电压，以 U? 或 U?/2 表示： ② 光沿x2? (或x1?)方向传播 外加电压平行 x3? 轴方向，光沿 x2?(或x1? )轴方向传播，? 63 贡献的电光效应— ? 63 的横向运用。 这种工作方式通常对晶体采取 45??x3 切割，晶片的长和宽与 x1、x2 轴成 45? 方向。光沿晶体的 [110] 方向传播，晶体在电场方向上的厚度为 d ，在传播方向上的长度为 l。 沿 x3 方向外加电压时，晶体感应折射率椭球的主轴方向由原折射率椭球主轴绕 x3 轴旋转 45? 得到，因此光沿 x2? 传播时，相应的两个特许线偏振光的折射率为 n1? 和 n3? ，二者由晶片射出时的相位差： 等式右边第一项表示由自然双折射造成的相位差； 第二项表示由线性电光效应引起的相位差。 与 ?63 纵向运用相比，?63 横向运用的两个特点： i) 电光延迟与晶体的长厚比 l /d 有关，因此可以通过控制晶体的长厚比来降低半波电压，这是它的一个优点； ii) 横向运用中存在着自然双折射作用。由于自然双折射(晶体的主折射率no、ne)受温度的影响严重，所以对相位差的稳定性影响很大。 实验表明，KDP晶体的 ?(no ? ne)/?T～1.1×10-5/℃。 0.6328?m 的激光通过 30mm 的KDP晶体，在温度变化 1?C时，将产生约 1.1 ? 的附加相位差。 为了克服这个缺点，在横向运用时，一般均需采取补偿措施。经常采用两种办法： ① 用两块制作完全相同的晶体，且 90°排列，即使一块晶体的 x1? 和 x3? 轴方向分别与另一块晶体的 x3? 和x1? 轴平行； ② 使一块晶体的 x1? 和 x3? 轴分别与另一种晶体的 x1? 和 x3?轴反向平行排列，中间放置一块 1/2 波片。 补偿自然双折射的两种晶体配置 两种方法的补偿原理：都是使第一块晶体中的 o 光进入第二块晶体变成 e 光，第一块晶体中的 e 光进入第二块晶体变为 o 光，而且二晶体长度和温度环境相同，所以由自然双折射和温度变化引起的相位差相互抵消。 因此，由第二块晶体射出的两光束间，只存在由电光效应引起的相位差： 相应的半波电压为： 与纵向应用比较得： 显然，横向运用时的半波电压一般比纵向运用时低，通过改变晶体长厚比，可以降低横向运用的半波电压。 但由于横向运用必须采取补偿措施，结构复杂，对两块晶体的加工精度要求很高，所以，一般只有在特别需要较低半波电压的场合才采用。 B. LiNbO3型晶体的线性电光效应 LiNbO3(铌酸锂)以及与之同类型的LiTaO3(钽酸锂)、BaTaO3(钽酸钡)等晶体，属于3m晶体点群，为单轴晶体。它们在 0.4 ~ 5?m波长范围内的透过率高达98%，光学均匀性好，不潮解，因此在光电