2016第三章工艺.pptVIP

第三章 MOS IC的工艺结构及版图设计 §3-1 MOS管的 阈值电压与工艺特点 §3-1-1 MOS管的阈值电压 MOS管阈值电压VT §3-1-1 MOS管的阈值电压 金半接触电势差 不同材料栅/衬底的 值差别显著 §3-1-1 MOS管的阈值电压 硅的费米势 对掺杂浓度在 范围的Si而言 的值近似可取0.3V §3-1-1 MOS管的阈值电压 氧化层电荷 ? §3-1-1 MOS管的阈值电压 耗尽层电荷 §3-1-2 MOS-IC工艺特点与VT 不同栅极材料对VT值的影响 Al栅/p型Si，衬底掺杂浓度 Al栅-NMOS §3-1-2 MOS-IC工艺特点与VT 不同栅极材料对VT值的影响 Al栅/n型Si，衬底掺杂浓度 Al栅-PMOS §3-1-2 MOS-IC工艺特点与VT 不同栅极材料对VT值的影响 p-Si栅/n型Si，衬底掺杂浓度 Si栅掺杂浓度 p-S