以電化學沉積法製備奈米氧化鋅薄膜.docVIP

南台科技大學 九十九學年度畢業專題成果報告 專題名稱:以電化學沉積法製備疏水性 奈米氧化鋅薄膜 系 所： 機械工程系 指導老師： 王聖璋 教授 專題學生：沈冠宇 潘誼霖 專題生：沈冠宇、潘誼霖 指導老師：王聖璋 南台科技大學 機械工程系 本實驗經由晶種層塗佈(鍍金法)及電化學沉積兩步驟方法來製備疏水性奈米氧化鋅薄膜。藉由改變電解液或電化學沉積的參數可改變晶體的生長形狀及疏水特性，並以X光繞射儀鑑定其結構相，而表面型態使用掃描式電子顯微鏡觀察得之、以高解析穿透式電子顯微鏡觀察其微結構、接觸角量測儀量測其接觸角。結果顯示，使用醋酸鋅進行電化學沉積氧化鋅膜表面結構為花朵狀，而使用硫酸鋅進行電化學沉積的試片表面結構為片狀。所製備出的氧化鋅奈米薄膜擁有奈米級的孔隙，使得空氣被保留在孔隙中，因而具有良好的疏水性質，與水的接觸角能達到130°以上。 關鍵字： 1. 前言 氧化鋅為II-VI族的多用途化合物半導體，是一種具有寬能隙的半導體材料(為六方晶結構 (hexagonal structure))，室溫下帶隙約3.3eV，激子束縛能高達60meV，使其具有在室溫下發出紫外光的能力