第2章 材料的结构 2.1 元素和化学键 2.2 晶体学基本概念 2.3 晶体缺陷 2.4 金属材料的结构 2.5 无机非金属材料的结构 2.4 高分子材料的结构 a. 空位:晶格中某些缺排原子的空结点。 b. 间隙原子:挤进晶格间隙中的原子。可以是基体金属原子,也可以是外来原子。 c. 置换原子: 空位和间隙原子引起的晶格畸变 晶体中的间隙原子:也可因热振动,由一个间隙位置迁移到另一个间隙位置,只不过其迁移激活能比空位小得多。 间隙原子运动过程中,当与一个空位相遇时,它将落入这个空位,而使两者都消失,此过程称为复合,亦称 “湮没”。 用一个主要符号表明缺陷的种类 用一个下标表示缺陷位置 用一个上标表示缺陷的有效电荷 如“ . ”表示有效正电荷; “ / ”表示有效负电荷; “×”表示有效零电荷。 用MX离子晶体为例( M2+ ;X2- ) (1)空位: VM 表示M原子占有的位置,在M原子移走后出现的空位; VX 表示X原子占有的位置,在X原子移走后出现的空位。 位错:晶格中一部分晶体相对于另一部分晶体发生局部滑移,滑移面上滑移区与未滑移区的交界线称作位错。分为刃型位错和螺型位错。 位错(dislocation)是一种线缺陷,它是
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