电力电子技术王兆安第2章.pptVIP

2.3.3 晶闸管的主要参数 断态重复峰值电压UDRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的正向峰值电压。 反向重复峰值电压URRM ——在门极断路而结温为额定值时，允许重复加在器件上的反向峰值电压。 通态（峰值）电压UT ——晶闸管通以某一规定倍数的额定通态平均电流时的瞬态峰值电压。 晶闸管的主要参数 通态平均电流 IT(AV） ——在环境温度为40?C和规定的冷却状态下，稳定结温不超过额定结温时所允许流过的最大工频正弦半波电流的平均值。标称其额定电流的参数。 ——使用时应按有效值相等的原则来选取晶闸管。 晶闸管的主要参数 通态平均电流 IT的计算 晶闸管的主要参数 例题 额定电流IT=200A的晶闸管,工作波形如下图所示,计算所允许负载电流Id为多少? IGBT耐压可达2500~3300V，耐流可达800~1800A，明显高于MOSFET。 IGBT开关频率可达10~40KHZ，高于BJT。 IGBT广泛用于中小功率，尤其在PWM控制的电力电子装置中占据重要地位。 ——指在额定结温和门极开路的情况下，不导致晶闸管从断态到通态转换的外加电压最大上升率。 ——指在规定条件下，晶闸管能承受而无有害影响的最大通态电流上升率。 如果电流上升太快，则晶闸管刚一开通，便会有很大的电流集中在门极附近的小区域内，从而造成局部过热而使晶闸管损坏 。 (2) 通态电流临界上升率di/dt 在阻断的晶闸管两端施加的电压具有正向的上升率时，相当于一个电容的J2结会有充电电流流过，被称为位移电流。此电流流经J3结时，起到类似门极触发电流的作用。如果电压上升率过大，使充电电流足够大，就会使晶闸管误导通 。 (1) 断态电压临界上升率du/dt 除开通时间tgt和关断时间tq外，还有： 3. 动态参数 2.3.4 晶闸管的派生器件 包括所有专为快速应用而设计的晶闸管，有快速晶闸管和高频晶闸管。 管芯结构和制造工艺进行了改进，开关时间以及du/dt和di/dt耐量都有明显改善。 普通晶闸管关断时间数百微秒，快速晶闸管数十微秒，高频晶闸管10?s左右。 1. 快速晶闸管（FST) 2.双向晶闸管（Triode AC Switch——TRIAC） 与一对反并联晶闸管相比是经济的，且控制电路简单，在交流调压电路、固态继电器（SSR）和交流电机调速等领域应用较多。 通常用在交流电路中，因此不用平均值而用有效值来表示其额定电流值。 3. 逆导晶闸管（Reverse Conducting Thyristor——RCT） 将晶闸管反并联一个二极管制作在同一管芯上的功率集成器件。 具有正向压降小、关断时间短、高温特性好、额定结温高等优点。 逆导晶闸管的额定电流有两个，一个是晶闸管电流，一个是反并联二极管的电流。 4. 光控晶闸管（Light Triggered Thyristor——LTT） 光触发保证了主电路与控制电路之间的绝缘，且可避免电磁干扰的影响，因此目前在高压大功率的场合，如高压直流输电和高压核聚变装置中，占据重要的地位，利用8KV/3.5KA光控晶闸管构成的300MV.A容量的电力电子装置是目前最大的电力电子装置。 思考： 1 下图为一晶闸管调试电路，以检测晶闸管工作后输出电压是否正确，调试中发现Rd断开电压表读数不正常，而Rd接通读数正常，请分析原因。 u2 Q Ud v Rd 2 下图中，要使晶闸管VT导通，门极触发信号最小要维持多长时间？ 已知：E=50V，R=0.5Ω, L=0.5H, IH=10mA, IL=15mA。 3 型号为KP100-3、IH=4mA，晶闸管在下图中应用是否合理？为什么？（不考虑裕量） 2.4 典型全控型器件 2.4.1 门极可关断晶闸管 2.4.2 电力晶体管 2.4.3 电力场效应晶体管 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 2.4.1 门极可关断晶闸管 门极可关断晶闸管（GTO） 晶闸管的一种派生器件 可以通过在门极施加负的脉冲电流使其关断 GTO的电压、电流容量较大，与普通晶闸管接近，耐压耐流可达6KV和6KA，因而在兆瓦级以上的大功率场合仍有较多的应用 1. GTO的结构和工作原理 结构： 工作原理： ?1+?2=1是器件临界导通的条件。当?1+?21时，两个等效晶体管过饱和而使器件导通；当?1+?21时，不能维持饱和导通而关断。开通原理和SCR一样。 设计时?2较大，使晶体管V2控制灵敏，易于GTO关断。 iB2+ic2=ik ic2=α2．ik ik=iB2/(1- α2)=iA iB2 GTO能够通过门极关断的原因是其与普通晶闸管有如下区别： (1) 设计?2较大，使晶体