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八英寸直拉单晶棒少子寿命检测 Eight inch czochralski single crystal rods ShaoZi life test  目录： 一、采样及样品处理 二、检测依据及设备 三、检测原理及作业指导书 四、检测环境及影响因素 五、检测数据分析 六、检测报告书 一、采样及样品处理 1、采样：单晶硅片 单晶片：取单晶棒头部、中部、尾部各三片，要具有代表性。 2、样品处理： （1）、试样待测面用320#（28~42μm）或W28(20~28μm)金刚砂研磨或喷砂。 （2）、 对圆片试样，用5~14μm氧化铝或金刚砂研磨上下表面。 二、检测依据及设备 1、检测依据： 2、检测设备: 三、检测原理及作业指导书 一、检测原理： 光电导衰退法基本原理 ： 光照射→ 非平衡载流子→ 电导率→电阻率→电流→电压→电压衰减规律→少数载流子的寿命。 方法过程:直流光电导法和高频光电导法测量寿命的方法都在光脉冲照射下产生非平衡少数载流子衰减，而得到电压或电流的衰减信号，再检测这种电压或电流信号的衰减规律，从而测出样品的非平衡载流子的寿命。 1、直流光电导衰退法 对于N型半导体经推导： 对于P型半导体经推导： 2、高频光电导衰退法 无光照的电流 ： i=Imsinωt 有光照的电流：