第4章存储逻辑概述.pptVIP

4.4 FLASH存储器 FLASH存储器的基本操作 无电流，读出为0 有电流，读出为1 4.4 FLASH存储器 FLASH存储器的阵列结构 4.5 存储器容量的扩充 4.5.1 字长位数扩展 给定的芯片字长位数较短，不满足设计要求的存储器字长，此时需要用多片给定芯片扩展字长位数。 方法：地址线和控制线公用，而数据线单独分开连接。 所需芯片数：设计要求存储容量除以已知芯片存储容量。 4.5.1 字长位数扩展 例：利用64K×8位ROM芯片，设计一个64K×16位的ROM。 解：两个芯片的地址总线公用，控制总线也公用，而数据线分成高８位和低８位。? 4.5.1 字长位数扩展 例：SRAM字长位数扩展 1M×4位 1M×8位 4.5.2 字存储容量扩展 给定的芯片存储容量较小，不满足设计要求的总存储容量，此时需要用多片给定芯片来扩展字数。 方法：数据总线和低位地址总线公用，控制总线中R/W公用，使能端EN不能公用，它由地址总线的高位段译码来决定片选信号。 所需芯片数：设计要求存储容量除以已知芯片存储容量。 4.5.2 字存储容量扩展 例：DRAM存储容量扩展。 1M×8位 2M×8位 第4章 存储逻辑 4.1 特殊存储器 4.2 随机读写存储器RAM 4.3 只读存储器ROM 4.4 FLASH存储器 4.5 存储器容量的扩充 4.1 特殊存储器