103场效应管.pptVIP

前世500次的回眸一笑 只为换取今生的擦肩而过 50次的积极发言,可以进入课题组 三极管复习和巩固 1.三极管具备放大作用的内部、外部条件分别要有哪些？ 2. 三极管的输出特性包括那几个区？ 3. 如何用万用表测量三极管的好坏并判断电极？ 4.实验中采用什么方法来判断三极管的工作状态？ 5.三极管的电流放大倍数是如何计算的？ 6三极管的极限参数有哪些？ 演示实验 总结与练习 什么是场效应管？场效应管有什么突出的优点？ 场效应管可以分为哪几种？ 用什么参数来描述场效应管的放大能力？ 什么是输出特性和转移特性？ 从输出特性曲线上可以看出，场效应管有哪几个工作区？ * 1.4　场效应管 1.4.1 结型场效应管 1.4.3 场效应管的主要参数 1.4.2 MOS 场效应管 1.什么是场效应管？ 场效应管是一种电压控制器件， FET (Field Effect Transistor) 2.场效应管可以分为哪几类？ 结型 JFET ：分为N沟道和P沟道两种。 绝缘栅型 IGFET(又叫MOSFET） 3.场效应管有哪些特点？ a.是一种单极性器件(只有一种载流子导电) c. 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低 b. 输入电阻高(107 ? 1015 ?，IGFET 可高达 1015 ?) 4.场效应管的引脚分别叫什么？ 栅极（G）：输入极，相当于三极管的基极； 漏极（D）：带负载，相当于三极管的集电极； 源极（S）：一般接地，或通过一个小电阻接地。相当于三极管的发射极。 5.场效应管一般用在哪些情况？ 因为场效应管的输入电阻非常大，常用在放大器的输入级，作为阻抗匹配。 因为场效应管的是电压控制器件，导通电阻非常小，在大功率直流电机PWM调试电路中，常用作开关管。 1.4.1 结型场效应管 1. 结构与符号 N 沟道 JFET P 沟道 JFET Source— 源极 Gate— 栅极 Drain— 漏极 2. 工作原理 uGS ? 0，uDS 0 此时 uGD = UGS(off)； 沟道楔型 耗尽层刚相碰时称预夹断。 预夹断 当 uDS ?，预夹断点下移。 3. 转移特性和输出特性 UGS(off) 当 UGS(off) ? uGS ? 0 时, uGS iD IDSS uDS iD uGS = – 3 V – 2 V – 1 V 0 V – 3 V O O 一、增强型 N 沟道 MOSFET (Mental Oxide Semi— FET) 1.4.2 MOS 场效应管 1. 结构与符号 P 型衬底 (掺杂浓度低) N+ N+ 用扩散的方法 制作两个 N 区 在硅片表面生一层薄 SiO2 绝缘层 S D 用金属铝引出 源极 S 和漏极 D G 在绝缘层上喷金属铝引出栅极 G B 耗尽层 S — 源极 Source G — 栅极 Gate D — 漏极 Drain S G D B 2. 工作原理 1)uGS 对导电沟道的影响 (uDS = 0) a. 当 UGS = 0 ，DS 间为两个背对背的 PN 结； b. 当 0 UGS UGS(th)(开启电压)时，GB 间的垂直电 场吸引 P 区中电子形成离子区(耗尽层)； c. 当 uGS ? UGS(th) 时，衬底中电子被吸引到表面，形 成导电沟道。 uGS 越大沟道越厚。 反型层 (沟道) 2) uDS 对 iD的影响(uGS UGS(th)) 　　DS 间的电位差使沟道呈楔形，uDS?，靠近漏极端的沟道厚度变薄。 预夹断(UGD = UGS(th))：漏极附近反型层消失。 预夹断发生之前： uDS? iD?。 预夹断发生之后：uDS? iD 不变。 3. 转移特性曲线 2 4 6 4 3 2 1 uGS /V iD /mA UDS = 10 V UGS (th) 当 uGS UGS(th) 时： uGS = 2UGS(th) 时的 iD 值 4. 输出特性曲线 可变电阻区 uDS uGS ? UGS(th) uDS?? iD ?，直到预夹断 饱和(放大区) uDS?，iD 不变 ?uDS 加在耗尽层上，沟道电阻不变 截止区 uGS ? UGS(th) 全夹断 iD = 0 开启电压 iD /mA uDS /V uGS = 2 V 4 V 6 V 8 V 截止区 饱和区 可 变 电 阻 区 放大区 恒流区 O O 二、耗尽型 N 沟道 MOSFET S G D B Sio2 绝缘层中掺入正离子 在 uGS = 0 时已形成沟道； 在 DS 间加正电压时形成 iD， uGS