23静电场中的电介质.pptVIP

实验证明，均匀、各向同性的电介质（讨论限于此种电介质）内部的场强为真空时场强的１／?ｒ倍。?ｒ称电介质的相对介电常数，并?ｒ＞１ ，纯数，表明电介质内部电场强度比真空时的电场强度数值上要小。 宏观上，当电介质内部存在电场时，两类电介质的产生的电偶极子效果相同。即都将沿着电场方向产生电偶极子的排列。电场越强，排列的越整齐，分子的电偶极矩越大。当然，电介质内部的电场超过某一限度后，电介质被击穿，成为导体。 例：??????思考：将介质从中分开，能否分离正、负极化电荷？ 可知，Ｄ是作为辅助量引入的，它的出现，表明:Ｄ对闭曲面的通量仅与闭曲面内的自由电荷ｑ0有关，与极化电荷ｑ’无关。非常重要的概念。也给我们在Ｄ对称情况下计算Ｄ→E带来了方便。（∵无需考虑极化电荷。） 真空中，Ｐ＝０，→高斯定理。由Ｄ如何得到Ｅ呢？（关心电场才是我们的目的。）∵Ｐ＝（?ｒ－１）?ＯＥＤ＝?ＯＥ＋Ｐ＝?Ｅ?＝?ｒ?Ｏ　介电常数　∵?ｒ是纯数，∴?单位同?Ｏ　，对具体电介质，会给出?或?ｒ Ｄ的高斯定理，可改写为（均匀极化）与真空中高斯定理比较（相同的ｑＯ分布），显然，电介质中的电场与无电介质时的电场大小的关系　 Ｅ＝Ｅ。／?ｒ解释了开始电介质实验中的现象。 由以上分析，在电介质存在时，若自由电荷分布及电介质对称时，求空间的电场Ｅ，可以先由自由电荷的分布，利用Ｄ的高斯定理求出Ｄ，再通过Ｄ＝?Ｅ的关系求出Ｅ。 * 电介质即绝缘体，电阻率大，导电能力差，理想的电介质，完全不导电。因为理想的电介质中，没有可以自由移动的电荷，无论是原子中的电子，分子中的离子，还是晶体点阵上的带电粒子，不能自由移动，即使在外电场的作用下，也只能在分子尺度的小范围内移动，宏观上表现出不导电性能。 §7-8 静电场中的电介质 分析原因：涉及电介质的微观模型。 一、 电介质的电结构 分子的正、负电荷中心在无外场时不重合，分子存在固有电偶极矩。 有极分子： 分子的正、负电荷中心在无外场时重合。不存在固有分子电偶极矩。 无极分子： ? ± ? -q +q p 在无外电场时，无论哪种电介质，整体都呈现电中性。 (1). 无极分子电介质的位移极化 在外电场作用下，介质表面(甚至体内)出现净电荷（称极化电荷或束缚电荷）的现象称电介质的极化。 无极分子在外场的作用下正负电荷中心发生偏移而产生的极化称为位移极化(或感应极化)。 二、电介质的极化 分子的电偶极矩 p (2). 有极分子电介质的取向极化 有极分子在外场中发生偏转而产生的极化称为取向极化(或转向极化）。 电极化强度矢量 是反映电介质极化程度的物理量。 定义： （C· m-2 ） 三、电极化强度 真空中： 均匀极化： ⊿Ｖ中，每个分子的电偶极矩ｐ的矢量和。Ｐ的单位，与面电荷密度相同。（请注意这点。） 思考：若Ｐ为常矢量，即介质被均匀极化，介质内闭曲面中的ｑ’为多少？ 介质被均匀极化，介质内无净极化电荷。 实验表明： 对于各向同性的电介质，在E0不太大的情况下，有： 介质内的场强： 极化电荷产生的附加电场 上式表明Ｐ，Ｅ的简单比例关系，将比例系数写成稍复杂的形式，是为了以后相对更重要的式子表达方便。 四、电极化强度与极化电荷的关系 设一均匀电介质薄片（S、l）置于电场（E）中，表面将出现极化电荷。 在均匀介质中， 极化电荷只出现在介质表面或两种介质的分界面上。 一般情形： 为薄片表面外法向单位矢量 　 　n θ －　　　 ＋ －　　　 ＋ －　　　　　 ＋ －　　　　　＋ P －　　　 ＋ P －　　＋ 　 －　　＋ 　 －　　＋ 　 － 　 ＋ 　 －　　＋ 　 －　　＋ §7-9 有电介质时的高斯定理 电位移 真空中的高斯定理： 介质中的高斯定理： 高斯定理中的Ｅ是空间的总场，应由自由电荷ｑＯ， 极化电荷ｑ’共同产生。 因为极化电荷在实验（实际）中，无法直接控制，直接应用上式不便。设法消取ｑ’， 平板电容器中充满均匀电介质。 特例 设两极板所带自由电荷的面密度分别为±?0，电介质两表面上分别产生极化电荷，面密度为±?′。 作一圆柱形闭合面，上下底面与极板平行，则有： 电位移（D矢量）： 有电介质时的高斯定理 线起始于正自由电荷，终止于负自由电荷 在没有自由电荷处不中断。 线分布由