第17讲单晶硅的制备.ppt

第九章 单晶硅的制备 学习目标 1、掌握结晶学基础 2、了解区熔法 3、掌握直拉法的基本设备及工艺 4、理解杂质的污染 5、了解磁拉法（MCz）、CCz法的基本原理与特点 9.1结晶学基础 （1）晶体的融化和凝固 物质从固态变成液态的过程叫做熔化。 物质从液态变成固态的过程叫做凝固。 熔化和凝固过程需要的条件 （2）结晶过程的宏观特征 过冷度 实际结晶温度与其熔点的差值，用?T表示。 直拉生长工艺 1961年，在中国半导体研究所林兰英院士的指导下我国研制成功第一台硅单晶炉，单晶直径为20mm(0.8in); 1972年73mm(1.5英寸)→1979年50mm (2英寸)→1983年75mm(3英寸)→1991年100mm(4英寸)→1996年150 mm(6英寸)→1998年200 mm(l8英寸) 己经能够满足稳定生产200 mm集成电路级的硅单晶，能够满足规模生产212mm( 8.5英寸)的太阳能光伏电池级硅单晶的能力; 300mm(12英寸)的硅单晶炉。 直拉生长工艺 籽晶是生长单晶硅的种子，目前用得最多的有 [111]和[100]晶向，偶尔用到[110]晶向。用 [11l]晶向籽晶生长 的单晶仍然是 [111]晶向，它具有三条对称的棱线，互成120 °分布;用 [100]晶向的籽晶，生长的单晶仍然是 [100]晶向，它具有四条互成90 °分布的对称棱线。 这是指正晶向的情况。如果籽晶的晶向偏高度较大，或者安装固定籽晶时发生了较大偏 离，生长出来的单晶，对称性就差一些，相邻棱线之间的夹角有宽有窄，不但影响成晶率，均匀性变差，晶向偏离大，切片也受影响。 单晶炉拉晶籽晶 规格 直径（mm） 长度(mm) 位错 晶向偏差 方籽晶 10×10或12×12 100-120 无 <100>?±?1o 圆籽晶 12 100-120 无 <100>?±?1o 直拉生长工艺 籽晶可以利用单晶硅定向切割而成，一般规格为8×8×100（mm），装料量较大时可选用加强型籽晶，10×10×120(mm)或更长大些。切割下来的籽晶除去黏胶，剔出边角料，再次定向，选出偏离度＜0.5°的备用。 籽晶在使用中，有一部分要融入硅熔体，这就意味着籽晶中的杂质熔进了硅液中，因此切割籽晶用的单晶电阻率最好高一些，这样的新籽晶实用性强，无论拉制低阻单晶，还是高阻单晶，N 型的，还是P型的都可以用。 但是如果已经拉制过单晶的旧籽晶就不能随便使用了，例如，重掺单晶的籽晶就不能回头再拉制轻掺单晶了。拉制过不同型号的旧籽晶也不要混用。重掺籽晶最好另加标识，严防误用。 直拉生长工艺 籽晶在使用前，应按照籽晶在夹头上的固定方式在籽晶上切出小口，或者开出小槽，以便用钼丝捆绑。 钼是熔点很高 （2600℃) ，钼丝在直拉炉上有两个用处，一是捆绑籽晶;二是捆绑石墨毡，大多使用直径为0.3-0.5mm的钼丝;钼丝具有一定的强度和韧性;那种脆性大、容易断裂的钼丝质量差，不能使用。钼丝的外表有一层黑灰色的附着物，可用纱布蘸NaOH熔液擦去，用清水洗净，最后用纯水冲净，自然晾干使用。 钼棒可以用做重锤上的籽晶夹头，钼片可以用做热屏，保温材料等。 直拉生长工艺 拆炉及装料 拆炉的目的是为了取出晶体，清除炉膛内的挥发物，清除电极及加热器、保温罩等石墨件上的附着物、石英碎片、石墨颗粒、石墨毡尘埃等杂物。拆炉过程申要注意不得带入新的杂物。 内件取出 拆炉时会经常取出炉内部件，有的部件几乎每次拆炉都要取出，有的根据开炉次数或内件的挥发物情况，是否需要清扫或者进行调整，决定是否取出。取出顺序一般按照拆装过程、由上而下取出比较方便操作。为了防止烫伤，要戴好高温防护手套。 直拉生长工艺 拆炉及装料-内件取出 (1)充气：记下拆炉前的炉内真空度，从副室充氩气入炉膛，注意充气速度不能过快，防止气流冲击晶体，产生摆动。充气到炉内压力为大气压时关闭充气阀(为了节约氩气，也可以充入空气)。 (2)取出晶体：升起副室 (含炉盖)到上限位置后，缓慢旋转至炉体右侧，降下晶体，将晶体小心降入运送车内，并加装绑链，然后用钳子在缩颈的最细部位将籽晶剪断，晶体就取下来了。因为晶体较烫，可将运送车放至安全处 (小心烫伤)，晶体冷却后再送去检测;也可以将晶体放置于V形槽的木架上让其自然冷却，切记不能放在铁板或水泥地面上，否则会由于局部接触面传热太快产生热应力，造成后面切片加工过程中出现裂纹和碎片。 直拉生长工艺 拆炉及装料-内件取出 (3)取出热屏 (即导流筒)： 注意观察炉内挥发物的厚薄、颜色、分布，是否有打火迹象或其他异