模拟电子技术(江晓安)(第三版)第4章资料.ppt

4. 直流输入电阻RGS  RGS是栅、源之间所加电压与产生的栅极电流之比。由于栅极几乎不索取电流, 因此输入电阻很高。 结型为106 Ω以上, MOS管可达1010Ω以上。  4.3.2 交流参数 　　1. 低频跨导gm 　　此参数用于描述栅、源电压UGS对漏极电流的控制作用。它的定义是当UDS一定时,ID与UGS的变化量之比,即 跨导gm的单位是mA/V。它的值可由转移特性或输出特性求得。在转移特性上工作点Q外切线的斜率即是gm,见图4－13(a)。或由输出特性看,在工作点处作一条垂直于横坐标的直线(表示UDS=常数),在Q点上下取一个较小的栅、源电压变化量ΔUGS,然后从纵坐标上找到相应的漏极电流的变化量ΔID,则gm=ΔID/ΔUGS,见图4－13(b)。 (4-5) 此外,对结型场效应管,可由(4－4)式求导而得 (4－6) 若已知IDSS、UP之值,只需将工作点处的UGS值和IDSS、UP值 代入(4－6)式,既可求得gm值。 图4-13 根据场效应管的特性曲线求gm 2. 极间电容 场效应管三个电极之间的电容,包括CGS、CGD和CDS。这些极间电容愈小, 则管子的高频性能愈好。一般为几个pF。 4.3.3 极限参数 1.漏极最大允许耗散功率PDm PDm与ID、