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第二节 晶闸管 晶闸管(Thyristor)包括：普通晶闸管(SCR)、快速晶闸管(FST)、双向晶闸管(TRIAC)、逆导晶闸管(RCT) 、可关断晶闸管(GTO) 和光控晶闸管等。 由于普通晶闸管面世早，应用极为广泛。 普通晶闸管：也称可控硅整流管(Silicon Controlled Rectifier), 简称SCR。 由于它电流容量大,电压耐量高以及开通的可控性(目前生产水平：4500A/8000V)已被广泛应用于相控整流、逆变、交流调压、直流变换等领域, 成为特大功率低频(200Hz以下)装置中的主要器件。 第二节 晶闸管 一、 晶闸管结构及其工作原理 （1）外形封装形式:可分为小电流塑封式、小电流螺旋式、大电流螺旋式和大电流平板式(额定电流在200A以上), 分别由图1.3.1(a)、(b)、(c)、(d)所示。 （2）晶闸管有三个电极, 它们是阳极A, 阴极K和门极(或称栅极)G, 它的电气符号如图1.3.1(e)所示。 第二节 晶闸管 晶闸管是大功率器件, 工作时产生大量的热，因此必须安装散热器。 螺旋式晶闸管紧栓在铝制散热器上, 采用自然散热冷却方式, 如图1.3.2(a)所示。 平板式晶闸管由两个彼此绝缘的散热器紧夹在中间, 散热方式可以采用风冷或水冷, 以获得较好的散热效果,如图1.3.2 (b)、(c)所示。 第二节 晶闸管 第二节 晶闸管 (2）阻断：当晶闸管A 、K间承受正向电压，而门极电流Ig=0时, 上述T1和T2之间的正反馈不能建立起来,晶闸管A 、K间只有很小的正向漏电流，它处于正向阻断状态。 二、 晶闸管的特性与主要参数 定义：晶闸管阳极与阴极之间的电压Ua与阳极电流Ia的关系曲线称为晶闸管的伏安特性。 第一象限是正向特性、第三象限是反向特性。 图1.3.4 晶闸管阳极伏安特性 １. 晶闸管的伏安特性 晶闸管上施加反向电压时，伏安特性类似二极管的反向特性。晶闸管处于反向阻断状态时，只有极小的反相漏电流流过。当反向电压超过一定限度，到反向击穿电压后，外电路如无限制措施，则反向漏电流急剧增加，导致晶闸管发热损坏。 １. 晶闸管的伏安特性（续）： IG=0时，器件两端施加正向电压，正向阻断状态，只有很小的正向漏电流流过，正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo，则漏电流急剧增大，器件开通。 随着门极电流幅值的增大，正向转折电压降低。 导通后的晶闸管特性和二极管的正向特性相仿。 晶闸管本身的压降很小，在1V左右。 导通期间，如果门极电流为零，并且阳极电流降至接近于零的某一数值IH以下，则晶闸管又回到正向阻断状态。IH称为维持电流。 2. 晶闸管的主要特性参数 1）正向重复峰值电压UDRM : 门极断开(Ig=0), 元件处在额定结温时,正向阳极电压为正向阻断不重复峰值电压UDSM (此电压不可连续施加)的80%所对应的电压(此电压可重复施加,其重复频率为50HZ，每次持续时间不大于10ms)。 2）反向重复峰值电压URRM : 元件承受反向电压时,阳极电压为反向不重复峰值电压URRM的80%所对应的电压。 3）晶闸管铭牌标注的额定电压通常取UDRM与URRM中的最小值, 选用时，额定电压要留有一定裕量,一般取额定电压为正常工作时晶闸管所承受峰值电压2～3倍。 （2）晶闸管的额定通态平均电流─额定电流IT(AV) 在选用晶闸管额定电流时，根据实际最大的电流计算后至少还要乘以1.5～2的安全系数，使其有一定的电流裕量。 2） IT(AV)计算方法： 这说明额定电流IT(AV)=100A的晶闸管，其额定有效值为IT = Kf IT(AV) = 157A。 （3）门极触发电流IGT和门极触发电压UGT 1）定义：在室温下，晶闸管加6V正向阳极电压时，使元件完全导通所必须的最小门极电流，称为门极触发电流IGT。对应于门极触发电流的门极电压称为门极触发电压UGT。 2）晶闸管由于门极特性的差异，其触发电流、触发电压也相差很大。所以对不同系列的元件只规定了触发电流、电压的上、下限值。 3）晶闸管的铭牌上都标明了其触发电流和电压在常温下的实测值，但触发电流、电压受温度的影响很大，温度升高，UGT 、IGT 值会显著降低，温度降低，UGT 、IGT 值又会增大。为了保证晶闸管的可靠触发，在实际应用中，外加门极电压的幅值应比UGT 大几倍。 （4）通态平均电压UT(AV ) 1）定义：在规定环境温度、标准散热条件下， 元件通以正弦半波额定电流时，阳极与阴极间电压降的平均值，称通态平均电压(又称管压降) 2）其数值按表1.3.3分组．在实际使用中，从减小损耗和元件发热来看，应选择ＵT(AV)