半导体物理四.ppt

Ex vx lf qEy V＜Vx V＞Vx V Vx 的空穴： 运动偏向霍尔场作用的方向 V Vx 的空穴 ： 偏向磁场力作用的方向 只考虑一种载流子的材料的磁阻效应，通常用 ： Tm为磁阻系数 ?H为霍尔迁移率，它表示载流子在单位磁 场强度下的偏转强度 2．同时考虑两种载流子 Bz=0、E=Ex 时， 电子逆电场方向运动，形成电场方向电流Jn 空穴沿电场方向运动，形成电场方向电流Jp 总电流：J0=Jn+Jp – + J Jp Jn (a) Jn Jp + + + – – – Ey (b) J + – Bz + x x Bz?0时，沿x方向的总电流应是两电流的矢量之和 ?电阻升高 此种磁阻效应表示为： 为横向磁阻系数 RHo为弱磁场时的霍尔系数 所谓弱场，一般指： ?0为无磁场时的电导率 三、几何磁阻效应 1．长条样品(P型) Bz=0，E=Ex Bz?0 I J Bz E E J I Bz ? J E J E x x I Bx 2．园盘形样品 称为Corbino效应 I I Bz 磁光效应(包括朗道能级）、量子化霍耳效应、 热磁效应、光磁电效应、压阻效应 自学 GMR磁头不仅在厚度上，而且在长度上都在100纳米以内 56GB/平方英寸 GMR目前的产业化情况 1994年，NVE实现巨磁电阻（GMR