chp3-1_SRAM与DRAM1试卷.pptVIP

3.3 DRAM存储器 一、DRAM存储位元的记忆原理 * 3.3 DRAM存储器 五、存储器容量的扩充 1、位扩展 给定的芯片位数较短 d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量 三组信号线中，地址线和控制线公用，而数据线单独分开连接 [例] 利用1K×4位的SRAM芯片，设计一个存储容量为1K×8位的SRAM存储器。 解：所需芯片数量=(1K×8)/(1K×4)=2片 * 3.3 DRAM存储器 五、存储器容量的扩充 [例2] 利用1K×4位的SRAM芯片，设计一个存储容量为1K×8位的SRAM存储器。（位扩展） 解：所需芯片数量=(1K×8)/(1K×4)=2片 * 3.3 DRAM存储器 2、字扩展 给定的芯片单元数较小（字数少） d=设计要求的存储器容量/选择芯片存储器容量 三组信号组中地址总线的低位段和数据总线公用，控制总线中R/W公用，由地址总线的高位段译码来决定片选信号。 [例]用16K×8位的DRAM芯片设计64K×8位的DRAM存储器 解：所需芯片数d=（64K×8）/（16K×8）=4(片) * 3.3 DRAM存储器 [例]利用16K×8位的DRAM芯片，设计64K×8位的DRAM存储器（字扩展） 解：所需芯片数d=（64K×8）/（16K×8）=4(片) A0 ~A13 A14 A15 0 0 *