1200V-NPT_IGBT研制.pptVIP

1200V平面NPT-IGBT产品研发 报告人：钱梦亮 江苏东光微电子股份有限公司 IGBT由双极型晶体管和MOSFET相结合的电压驱动式功率半导体器件。在提倡节能减排、低碳经济的时代，IGBT已成为功率半导体市场发展的主流器件，主要用在家电产品、工业控制、照明、消费电子、计算机及汽车电子等，而智能电网、高速铁路、新能源汽车为IGBT开辟了更加广泛的应用市场。 对IGBT的元胞和终端进行了仿真模拟 1 介绍了IGBT的版图布局及工艺流程 2 IGBT的试验的结果及相关结论 3 利用工艺模拟软件Tsuprem4和器件仿真软件Medici对NPT-IGBT元胞进行设计，仿真所得击穿特性如图所示： IGBT的元胞和终端的仿真模拟 仿真所得阈值电压为5V左右，如图所示： 对采用场限环终端的IGBT进行了仿真，所得耗尽层分布如下图所示： 场限环终端的击穿电压如下图所示： 此次IGBT流水采用了多种版图设计，包括不同的元胞设计，不同的终端结构（场限环，场限环结合场板），不同的芯片大小等，其具体的版图布局如图所示： IGBT的版图布局及工艺流程 在平面NPT-IGBT的工艺设计中，表面工艺的设计利用现有MOSFET的工艺平台进行制造，然后开发背面工艺，