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- 2016-12-05 发布于重庆
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模擬电子技术基础.第一章
模拟电子技术基础
第1章 常用半导体器件
1.1选择合适答案填入空内。
(l在本征半导体中加入A )元素可形成N 型半导体,加入 C )元素可形成P 型半导体。
A.五价 四价 C三价
(2当温度升高时,二极管的反向饱和电流将A) 。
A增大 B.不变 C减小
(3工作在放大区的某三极管,如果当IB 从12 uA 增大到22 uA 时,IC 从lmA 变为2mA ,那么它的β约为 C ) 。
A.83 B.91 C.100
(4)当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时,它的低频跨导gm将 A ) 。
A增大; B不变; C减小
1.2电路如图P1. 所示,已知V),试画出与的波形。设二极管导通电压可忽略不计。
图P1. 解图P1.
解:与的波形如解图Pl.所示。
1.电路如图P1.所示,已知V),二极管导通电压UD=0.7V。试画出与的波形图,并标出幅值。
图P1. 解图P1.
1.4电路如图P1.所示, 二极管
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