第2章电力电子器件--2012资料.ppt

*/89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、 集电极C和发射极E。 ?由N沟道VDMOSFET与双 极型晶体管组合而成的IGBT， 比VDMOSFET多一层P+注入 区，实现对漂移区电导率进行调 制，使得IGBT具有很强的通流 能力。 ?简化等效电路表明，IGBT 是用GTR与MOSFET组成的达 林顿结构，相当于一个由 MOSFET驱动的厚基区PNP晶 体管。 图2-23 IGBT的结构、简化等效电路和电气图形符号a) 内部结构断面示意图 b) 简化等效电路 c) 电气图形符号 RN为晶体管基区内的调制电阻。 */89 2.4.4 绝缘栅双极晶体管 ◆IGBT的工作原理 ?IGBT的驱动原理与电力MOSFET基本相同，是一种场 控器件。 ?其开通和关断是由栅极和发射极间的电压UGE决定的。 √当UGE为正且大于开启电压UGE(th)时，MOSFET内形成沟道，并为晶体管提供基极电流进而使IGBT导通。 √当栅极与发射极间施加反向电压或不加信号时，MOSFET内的沟道消失，晶体管的基极电流被切断，使得IGBT关断。