第3章非热平衡状态下的半导体2011资料.ppt

3.1 半导体的非热平衡状态 3.1.1 额外载流子的产生与复合 1、非热平衡态的特征 2、额外载流子的产生 3、弛豫过程 3.1.2 额外载流子的寿命 1、额外载流子参与导电的实验 2、复合几率、复合率与产生率 3、额外载流子密度随时间衰减的规律 4、额外载流子的寿命及其测量 3.1.3 准费米能级 1、准平衡状态 2、非热平衡状态下的载流子统计 3.2 复合理论 3.2.1 直接辐射复合 1、直接辐射复合过程中的复合率和产生率 2、由直接辐射复合决定的少子寿命 3.2.2 通过单一复合中心的间接复合 1、通过单一复合中心的复合过程（SRH模型） 2、通过单一复合中心的净复合率 3、复合中心的有效性 4、通过单一复合中心的间接复合寿命 5、俘获系数与俘获截面 3.2.3 表面复合 1、表面复合速度 2、考虑表面复合的有效寿命 2.3.4 俄歇复合 2.3.5 陷阱效应及其对复合的影响 1、陷阱条件 2、陷阱中心的有效性 3、陷阱对复合过程的影响 3.3 额外载流子的运动 3.3.1 额外载流子的扩散与扩散方程 1、扩散运动概念 2、局部注入额外载流子的扩散 3、一维稳态扩散方程 3.3.2 扩散方程在不同边界条件下的解 1、无限厚样品