探针方法测量半导体的电阻率 〈一〉实验目的 〈二〉实验原理 〈三〉仪器结构特征 〈四〉操作步骤 〈五〉注意事项 〈六〉技术参数 一 实验目的 1、理解四探针方法测量半导体电阻率的原理; 2、学会用四探针方法测量半导体电阻率。 二 实验原理 1、体电阻率测量: 四探针法测量原理图 当1、2、3、4四根金属探针排成一直线时,并以一定压力压在半导体材料上,在1、4两处探针间通过电流I,则2、3探针间产生电位差V。 材料电阻率 式中:S1、S2、S3分别为探针1与2,2与3,3与4之间距,用cm为单位时的值,S1=S2=S3=1mm. 每个探头都有自己的系数。C?6.28?0.05单位cm。 若电流取I = C 时,则ρ=V,可由数字电压表直接读出。 探针系数 (1) (2) 温度影响电阻率,从面影响电阻 p=p1(1+aT),p1为该材料0摄氏度时的电阻率, a叫电阻的温度系数,不同材料的电阻温度系数不同 由R=p*l/s p=p1(1+aT),得 R=R1(1+aT) 同理,R1为0摄氏度时的电阻 R=p*l/s(p—电阻率查表求;l—电阻长度;s—与电流垂直的电阻截面面 (a)块状和棒状样品体电阻率测量: 由于块状和棒状样品外形尺寸与探针间距比较,合乎于半无限大的边界条件,电阻率值可以直接由(1)、(2)式求出。 (b)簿片电阻率测量
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