CMOS模拟集成电路实训2016-Bandgap.ppt

仿真结果分析 温度特性较差，正温度系数过小，这是由于R2/R1的比值过小所致 可通过调节R2/R1的比值来优化温度特性 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 优化温度特性 采用变量分析“Parametric”方法 方案：固定R1值的大小，扫描R2 方法：在电路图中设置R2的阻值为变量“res” ADE窗口中，选择“Variables”→“Edit” 设置扫描变量 ADE窗口中，点击“Tools”→“Paremetric Analysis” 在Paremetric Analysis窗口中，选择“Set up”→“Pick Name For Vareable” →“Sweep 1...” 在Paremetric Analysis Pick Sweep 1窗口中选择“res”作为变量 设置扫描范围 设置“Sweep1”扫描范围为230~460kΩ “Total Steps”为“5” 选择窗口中的“Analysis”→“Start”，开始变量扫描 变量扫描结果分析 当R2电阻为402kΩ时，温度系数为负 当R2电阻为460kΩ时，温度系数为正 缩小扫描范围，再次仿真 res扫描范围设置为402~460kΩ,再次扫描 当R2=445kΩ时，温度特性最好 视频：扫描电阻，优化温度特性 利用“Calculator”分析温度特性 在仿真结果图中点击“Tools”→“calculator” 缓存buffer 堆栈stack 函数 功能 y**x stackbuffer + stack+buffer - stack-buffer * stack*buffer / stack/buffer 温漂系数计算 计算公式： 列表显示温度系数 点击制表按钮 ，在“Display Results”中选择Value，点击“OK”，显示计算结果 当R2=445kΩ时，温漂系数最小，PPM=24.13ppm/℃ 视频 ：Calculator分析温漂系数 绘图显示温度系数 点击制图按钮 ，绘图显示温漂系数随R2电阻变化情况，R2=445kΩ时出现最小值 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 Lab1：PTAT带隙电压基准 指标 VDD=3.3V/5V Vref =1.3V PPM20ppm/℃ 要求 原理分析 Spectre直流特性仿真 实训一参考 Lab2：三支路基准电流源 指标 VDD=5V Iref =30nA 要求 原理分析 Spectre直流特性仿真 Spectre交流特性仿真 实训二参考 CMOS模拟集成电路实训之电压基准的设计 东南大学集成电路学院 IC实验室 内容 带隙电压基准的基本原理 常用带隙电压基准结构 PTAT带隙电压基准 运放输出电压基准 基准电路的发展方向 PTAT带隙电压基准的设计 优化温度特性 实训 带隙电压基准的基本原理 带隙电压基准的基本原理： 基准电压表达式 ： V+,V-的产生原理 利用了双极型晶体管的两个特性： ·基极-发射极电压（VBE）与绝对温度成反比 ·在不同的集电极电流下，两个双极型晶体管的基极-发射极电压的差值（ΔVBE）与绝对温度成正比 双极型晶体管构成了带隙电压基准的核心 负温度系数电压 ·双极型晶体管，其集电极电流（IC）与基极-发射极电压（VBE）关系为 其中， 。利用此公式推导得出VBE电压的温度系数为 其中， ， 是硅的带隙能量。当 ， 时， 。 · VBE的温度系数本身就与温度有关 正温度系数电压 ·如果两个同样的晶体管（IS1= IS2= IS，IS为双极型晶体管饱和电流）偏置的集电极电流分别为nI0和I0，并忽略它们的基极电流，那么它们基极-发射极电压差值为 因此，VBE的差值就表现出正温度系数