电子工程物理基础v1.1(4-1)分解.ppt

*从Si的电子能量图看: 小结：纯净半导体中掺入受主杂质后，受主杂质电离，使价带中的导电空穴增多，增强了半导体的导电能力。主要依靠价带空穴导电的半导体称p型半导体。 半导体中同时存在施主杂质和受主杂质时，它们之间有相互抵消的作用——杂质补偿作用。 *当ND 》NA时，n= ND- NA≈ ND 半导体是n型 *当ND《NA时， p= NA- ND≈ NA 半导体是p型 *当ND ≈ NA时， 杂质的高度补偿 ND——施主杂质浓度 NA——受主杂质浓度 n——导带电子浓度 p——价带空穴浓度 （3）杂质的补偿作用 （1）深能级杂质 0.54eV + 0.35eV Si晶体中的Au能级 Ec Ev EA ED 2. 特殊掺杂 深能级杂质----减少非平衡载流子生存时间 重掺杂-----高导电性、高电荷密度等 对于重掺杂,导带底部的量子态基本被电子占满.电子分布函数不再能近似为玻尔兹曼分布函数了,而要用费米分布描述。 （2）重掺杂 掺杂浓度高，EC-EF 与或EF –EV 越小 （F-D） （M-B） ？ 简并半导体 当掺杂浓度很高时,会使 EF接近或进入了导带—半导体简并化了. EC-EF2k0T 非简并 简并化条件 0EC-EF 2k0T 弱简并 EC-EF0 简并 杂质能级—杂质能带 在重掺杂的简并半导体中,杂质浓度很高.杂质原子相互 靠近,被杂质原子束缚的电子的波函数显著重叠,这时电子作 共有化运动.那么,杂质能级扩展为杂质能带. 杂质能带中的电子,可以通过杂质原子间共有化运动参加导电---杂质带导电. 类氢原子模型 三. 掺杂半导体—计算 1.杂质电离能计算(杂质电离能;杂质能级相对于费米能级位置) 氢原子 类氢原子模型 2. 杂质电离浓度的计算 杂质能级上的电子浓度=未电离杂质浓度 载流子浓度=(∫能态密度g(E) ×分布函数f(E)dE)/V 施主能级被电子占据的概率： *分布函数fD(E）: 施主杂质能级与导带中的能级不同,只能是以下两种情况之一: (1) 被一个有任一自旋方向的电子所占据; (2) 不接受电子 受主能级被空穴占据的概率： *施主能级上的电子浓度nD 电离了的施主浓度( ionized donors ) *施主杂质能级的态密度=所掺施主杂质的浓度ND(E=ED)，显然 *受主杂质能级的态密度=所掺受主杂质的浓度NA(E=EA)，显然 *受主能级上的空穴浓度PA： 电离了的受主杂质浓度( ionized acceptors ) 分析 杂质能级与费米能级的相对位置明显反映了电子和空穴占据杂质能级情况！ 2 反之，费米能级在施主杂质能级 之上时，施主杂质基本上没有电离 费米能级远在施主杂质能级 之下时，即 时 ， 则 。可以认为施主杂质几乎全部电 离。 3. 费米能级与施主杂质能级 重合时， 受主杂质情况，照此可自己分析 ED EV 杂质能级一般情况下位置固定,但EF随掺杂浓度和温度而变化 3. 掺杂半导体的载流子浓度计算 电中性方程: 以只含施主为例来分析： 分温区讨论： (1)低温弱电离区 电中性方程 Freeze-out 非简并情况 两边取对数并整理,得: ED起了本征情况下EV的作用 载流子浓度: (2)中温强电离区 电中性方程 两边取对数并整理,得: 载流子浓度: (本征激发不可忽略) 电中性方程 (3)过渡区 n0---多数载流子 p0---少数载流子 (4)高温本征区 (本征激发产生的载流子远多于杂质电离产生的载流子) 电中性方程 载流子浓度: 温 区 低温 中温 高温 费米能级 载流子浓度 简并情况 电子和空穴的分布规律不再能用波尔兹曼分布来近似，而必须采用费米-狄拉克分布。 类似的 费米积分 例1.计算含有施主杂质浓度ND＝9×1015cm-3及受主杂质浓度为1.1×1016cm-3的硅在300k