1第一章半导体物理基础解读.ppt

* * 1.7.2 能带中的电子和空穴浓度 * 载流子浓度乘积 * 1.7.4 本征半导体 本征半导体是指完全没有杂质和缺陷的半导体。 （1）T=0K时，价电子充满价带，导带则是完全空的； （2）T0K时，电子可以从价带激发到导带，这种激发称为本征激发。 * 禁带中央 * * 热平衡判别式 * * * * * * * * * * 1.6 杂质和缺陷能级 * 实际证明，极微量的杂质和缺陷，能够对半导体材料的物理性质和化学性质产生决定性的影响。 利的方面： 控制半导体的性质。例如：在硅晶体里，若以105个硅原子中掺入一个杂质原子的比例掺入硼原子，则纯硅晶体的电导率在室温下将增加103倍。 不利方面： 半导体的原材料纯度不够。例如：用于硅平面器件的硅单晶，要求控制位错密度在103cm-2以下，若位错密度过高，则不可能生产出性能良好的器件。 * 存在于半导体中的杂质和缺陷，为什么会起着这么重要的作用呢？ * §2·1 硅、锗晶体中的杂质能级 杂质进入半导体后的分布位置－以硅为例： 若近似的把原子看成是半径为r 的圆球，则： 说明，在金刚石型结构中，一个晶胞内的8个原子只占晶胞体积的34％。 * 间隙空隙 四面体空隙T、六角形空隙H * 间隙式杂质：杂质原子位于晶格原子间的间隙位置。 替位式杂质：杂质原子取代晶格原子而位于晶格点处。 注：①间隙式杂质原子一般比较小。 ②替位式杂质原子大小一般和被取代的晶格原子的大小比较相近，价电子壳层结构比较相近。 2.1.1 间隙式杂质、替位式杂质 * 1.6.1 施主杂质和施主能级 N型半导体—V族元素杂质 * * 1.6.2 受主杂质和受主能级 P型半导体—Ⅲ族元素杂质 * * * 硅、锗中的Ⅲ、Ⅴ族杂质的电离能都很小，所以受主能级很接近于价带顶，施主能级很接近于导带底。 通常将这些杂质能级称为浅能级，将产生浅能级的杂质称为浅能级杂质。 * 1.6.3 深能级—非Ⅲ、Ⅴ族元素杂质 * * * * 1.7 载流子的统计分布1.7.1 费米分布函数与费米能级 * * * * * * 能量为E的量子态被空穴占据的概率 * * * * 讨论： * * 在一定的外加电压下，半导体中电子运动规律： 当有强度为|E|的外加电场时，电子受到 f = -q|E|的力，dt时间内，电子位移了一段ds，外力对电子作的功等于能量的变化，即： 说明：在外力f 的作用下，电子的波矢k不断改变，其变化率与外力成正比。 2.半导体中电子的加速度 * * 3.有效质量的意义 由于找出原子势场和其他电子势场力的具体形式非常困难，这部分势场的作用就由有效质量mn*加以概括，mn*有正有负正是反映了晶体内部势场的作用。 有效质量的意义： 意义在于它包括了周期性势场对电子的作用，这样可以简单的由外力直接写出加速度的表达式，为分析电子在外场中的运动带来方便。 特别是mn*可以直接由回旋共振实验测得，因而可以很方便的解决电子的运动规律。 * * 4.能带宽度对晶体中电子速度及有效质量的影响 原子核外不同壳层电子其有效质量大小不同： 内层电子占据了比较窄的满带，这些电子的有效质量mn*比较大，在外力作用下不易运动； 而价电子所处的能带较宽，电子的有效质量mn*较小，在外力的作用下可以获得较大的加速度。 * 1.4 导带电子和价带空穴 半导体与金属和绝缘体不同的最重要的特性是半导体中存在着电子和空穴两种电荷携带者——载流子。 * 1.4.1 金属、半导体和绝缘体的区别 可以根据电子填充能带的情况说明导体、半导体、绝缘体的导电机理。 * T=0K，半导体不导电； 当温度升高或在其它外界因素作用下，原先空着的导带变为半满带，而价带顶附近同时出现了一些空的量子态也成为半满带，这时导带和价带中的电子都可以参与导电； 常温下半导体价带中已有不少电子被激发到导带中，因而具备一定的导电能力。 * 1.4.2 空穴 * 空穴：通常把价带中空着的状态看成是一个假想的、带正电的粒子，称为空穴。 空穴不仅带有正电荷＋q，而且还有正的有效质量。 空穴自A→B→C，空穴速度在不断增加，加速度为正值。 * 价带顶部附近电子的加速度为： 引进mp*表示空穴的有效质量，即： 则，空穴的加速度为： 这是一个带有正电荷、具有正有效质量的粒子在外电场作用下的加速度，因此，空穴具有正的有效质量。 * 空穴的特点： * 一维情况下，设能带极值在 k = 0 处，则： E(0)分别为导带底能量和价带顶能量。 1.5.1 等能面 1.5 硅、锗、砷化镓的能带结构 * 对实际的三维晶体，k空间任一矢量代表波矢k，其中： 设导带底位于k=0，其能值为E(0)，若mn*各向同性，则导带底附近： * 容易看出: 上式表示的等能面是一系列