半导体器件物理与工艺复习题.docVIP

半导体器件物理复习题 第二章： 1） 带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差，也称能隙。 物理意义：带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低 2）什么是半导体的直接带隙和间接带隙能量介于E～E+E之间的量子态数目Z与能量差E之比 在什么条件下，本征Ferm能级在室温下可以近似认为费米能级处于带隙中央 半导体中对电子和空穴起复合作用的杂质或缺陷能量比势垒低粒子，一定概率穿透势垒σ成为电场的函数, 出现非线性传导现象,即偏离欧姆定律的强电场效应。 10）雪崩过程（现象）：在强电场的加速下,载流子将得到足够的动能,这些有较高能量的载流子与晶格中性原子相遇发生碰撞产生电离，产生新的电子-空穴对。这些新产生的电子和空穴又会在电场的作用下，重新获得能量，碰撞其它的中性原子使之电离，再产生更多的电子-空穴对。这种连锁反应继续下去，使空间的载流子数量剧增，就像雪崩一样. 第四章： 1) 异质结：由不同种半导体构成的pn结（如硅-锗） 2) 单边突变结: 在交界面处，杂质浓度会产生突变，称为突变结。实际的突变结，两边的杂质浓度相差很多，称为单边突变结 3) 什么是内建电势？它是如何保持热平衡的？n型：p0(pn0，或p型：n0(np0 , 且: (n=(p 6) 在热平衡时, 载流子浓度用内建电势表示为: 当加上偏压V后, 在