14第三章晶体管效应(3.6-3.7)精选.ppt

大注入效应（基区电导调制/Webster Effect） * Physics of Semiconductor Devices * 基区扩展电阻和电流集聚 基区宽度调变效应 § 3.6、 § 3.7 一 基区扩展效应(Kirk Effect) 1、 基区纵向扩展效应 当通过集电区的电流密度大于jcr 时，集电结空间电荷区将往衬底方向移动，使有效基区宽度Wb增大。 集电极电子的平均漂移速度 集电结临界饱和电流 N+P-NN+ 通常载流子的平均漂移速度随着电场的增大而增加，但当电场增大到一定程度时，载流子的漂移速度将得到极限值，此时对应的电场用 EC 来表示，则当 E EC 后，即使电场再增大，载流子的漂移速度也不会变化了。 1、称 E EC 的情况为弱场情况，此时载流子的平均漂移速度随着电场的增大而增加； 2、称 E EC 的情况为强场情况，此时载流子的漂移速度已得到极限值。 (1) 弱场情况 在弱场情况下，集电区电场相对较弱，载流子的平均漂移速度基本上与电场成正比，可以通过增大集电区的电场来增大载流子的平均漂移速度，使得通过集电区的电流密度 jc 大于jcr，从而使得IC不断增大。但是，随着IC的进一步增大，集电区内电场也随着进一步增大，而电场分布曲线下的面积总等于?UTC ?。因此，电场区使集电区向衬底方向收缩而变窄，使有效基区宽度增大。 若jc 比 jcr大得越多，