理解MOSFET_开关过程总结.pptVIP

Silergy Confidential- Do not distribute * 理解MOSFET (感性负载)开关过程 Rex Chen 2012/12/18 1.认识MOSFET中的寄生电容 2.MOSFET栅极特性与开关过程 3.MOSFET漏极导通特性与开关过程 1.认识MOSFET中的寄生电容 -----Cgd（米勒电容） -----Cgd+Cgs=Ciss（输入电容） -----Cds=Coss（输出电容） 注：CgsCgd ?? 为什么Datasheet中只给出Ciss和Coss,而不是Cgd和Cgs和Coss?? 图1 MOSFET的寄生电容 2.MOSFET栅极特性与开关过程（1） -----VTH:开启阈值电压 -----VGP:米勒平台电压 -----VCC:驱动电路的电源的电压 图2 MOSFET开关过程中栅极电荷特性 当驱动开通脉冲加到MOSFET的G和S极时，输入电容Ciss充电直到MOSFET开启为止。开启时Vgs=VTH。栅电压达到VTH前MOSFET一直处于关断状态,只有很小的电流流过MOSFET。Vds的电压保持VDD不变。（t1阶段） -----VDD:MOSFET关断时D和S极间施加的电压 当Vgs到达VTH时，漏极开始流过电流iD，然后Vgs继续上升，iD也逐渐上升，Vds 仍然保持VDD。当V