06半导体陶瓷.pptVIP

§8-1 概述 §8-2 BaTiO3瓷的半导化机理 §8-3 PTC热敏电阻 §8-4 半导体陶瓷电容器 §8-1 概述 1.装置瓷、电容器瓷、铁电压电瓷：ρV＞1012Ω?cm ，防止半导化，保证高绝缘电阻率； 半导体瓷：ρV＜106Ω?cm 2. 半导体瓷：传感器用，作为敏感材料，电阻型敏感材料为主： ρV或ρS对热、光、电压、气氛、湿度敏感，故可作各种热敏、光敏、压敏、气敏、湿敏材料。 3.非半导体瓷——体效应（晶粒本身） 半导体瓷——晶界效应及表面效应 §8-1 概述 1. BaTiO3半导体瓷 a. PTC热敏电阻瓷 →PTC热敏电阻 b. 半导体电容器瓷 →晶界层电容器、表面层电容器 2. NTC热敏半导体瓷（由Cu、Mn、Co、Ni、Fe等过渡金属氧化物烧成，二元、三元、多元系）→NTC热敏电阻 §8-1 概述 半导体陶瓷按照利用的物性分类可分为： 1. 利用晶粒本身性质：NTC热敏电阻； 2. 利用晶粒间界及粒界析出相性质：PTC热敏电阻器，半导体电容器（晶界阻挡层型）； 3. 利用表面性质：半导体电容器（表面阻挡层型）； 　　在高纯（≥99.9％）BaTiO3中掺入微量（＜0.3％mol）的离子半径与Ba2+相近，电价比Ba2+离子高的离子或离子半径与Ti4+相近而电价比Ti4+高的离子，它们将取代Ba