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1.3 晶体三极管 1.3.1 晶体管的结构和符号 1.3.3 晶体管的共射输入特性和输出特性 2. 输出特性 晶体管的三个工作区域 1.3.4 主要参数 讨论一 * 一、晶体管的结构和符号 二、晶体管的放大原理 三、晶体管的共射输入特性和输出特性 五、温度对晶体管特性的影响 四、主要参数 本节课的教学目的： 1、晶体管能够放大的内部原因和外部条件是什么？为什么在上述情况下会放大？ 2、什么是晶体管的共射输入、输出特性？温度对它们有什么影响？ 3、理解晶体管三个工作区的特点，学会判断电路中晶体管工作状态的方法。 4、掌握晶体管主要参数的物理意义。 多子浓度高 多子浓度很低，且很薄 面积大 晶体管有三个极、三个区、两个PN结。 小功率管 中功率管 大功率管 为什么有孔？ 1.3.2　晶体管的电流放大作用 以 NPN 型三极管为例讨论 c N N P e b b e c 表面看 　　三极管若实现放大，必须从三极管内部结构和外部所加电源的极性来保证。 　不具备放大作用 三极管内部结构要求： 　　1. 发射区高掺杂。 　　2. 基区做得很薄。通常只有几微米到几十微米，而且掺杂较少。 　　三极管放大的外部条件：外加电源的极性应使发射结处于正向偏置状态，而集电结处于反向偏置状态。 3. 集电结面积大。 c N N P e b b e c Rc Rb 一、晶体管内部载流子的运动 I E IB 发射结加正向电压，扩散运动形成发射极电流 　　发射区的电子越过发射结扩散到基区，基区的空穴扩散到发射区—形成发射极电流 IE (基区多子数目较少，空穴电流可忽略)。 2. 扩散到基区的自由电子与　空穴的复合运动形成基极　电流　 　电子到达基区，少数与空穴复　合形成基极电流 IBN，复合掉的　空穴由 VBB 补充。 多数电子在基区继续扩散，到达集电结的一侧。 晶体管内部载流子的运动 b e c I E I B Rc Rb 3.集电结加反向电压，漂移运动形成集电极电流IC 　 集电结反偏，有利于收集基区扩散过来的电子而形成集电极电流 ICN。 其能量来自外接电源 VCC 。 I C 另外，集电区和基区的少子在外电场的作用下将进行漂移运动而形成反向饱和电流，用ICBO表示。 ICBO 晶体管内部载流子的运动 b e c e Rc Rb 二、晶体管的电流分配关系 IEP ICBO IE IC IB IEN IBN ICN IC = ICN + ICBO IE= ICN + IBN + IEP = IEN+ IEP IB=IEP+ IBN－ICBO 图1.3.4晶体管内部载流子的运动与外部电流 电流分配：IE＝IB＋IC IE－扩散运动形成的电流 IB－复合运动形成的电流 IC－漂移运动形成的电流 三、晶体管的共射电流放大系数 整理可得： ICBO 称反向饱和电流 ICEO 称穿透电流 1、共射直流电流放大系数 2、共射交流电流放大系数 VCC Rb + VBB C1 T IC IB C2 Rc + 共发射极接法 为什么基极开路集电极回路会有穿透电流？ IC = ? IB IE = (1 + ? ) IB 3、共基直流电流放大系数 或 4、共基交流电流放大系数 5. ?与?的关系　 IC IE + C2 + C1 VEE Re VCC Rc 共基极接法 为什么UCE增大曲线右移？ 对于小功率晶体管，UCE大于1V的一条输入特性曲线可以取代UCE大于1V的所有输入特性曲线。 为什么像PN结的伏安特性？ 为什么UCE增大到一定值曲线右移就不明显了？ 1. 输入特性 β是常数吗？什么情况下 ? 对应于一个IB就有一条iC随uCE变化的曲线。 为什么uCE较小时iC随uCE变化很大？为什么进入放大状态曲线几乎是横轴的平行线？ 饱和区 放大区 截止区 晶体管工作在放大状态时，输出回路的电流 iC几乎仅仅决定于输入回路的电流 iB，即可将输出回路等效为电流 iB 控制的电流源iC 。 ≤ uBE ＜βiB ≥ Uon 饱和 ≥ uBE βiB ≥ Uon 放大 VCC ICEO ＜Uon 截止 uCE iC uBE 状态 直流参数： 、 、ICBO、 ICEO c-e间击穿电压 最大集电极电流 最大集电极耗散功率，PCM＝iCuCE 安全工作区 交流参数：β、α、fT（使β＝1的信号频率） 极限参数：ICM、PCM、U（BR）CEO 1.3.5　温度对晶体管特性及参数的影响 一、温度对ICBO的影响 温度每升高100C ， ICBO增加约一倍。 反之，当温度降低时ICBO减少。 硅管的ICBO比锗管的小得多。 二、温度对输入特性的影响 温度升高时正向特性左移， 反