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- 2016-12-03 发布于浙江
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基于ADS的低噪声放大器设计
[摘要] 伴随着无线通信和CMOS工艺的发展,让基于CMOS工艺下的射频集成电路设计成为目前研究热点。本文主要是设计低噪声放大器,决定着接收机整体性能的关键模块。它需要具有低噪声、良好的增益、线性度、较低的功耗和合适的输入输出匹配。本文是基于TSMC 0.18um CMOS工艺并运用电感源极负反馈与共源共栅结构的结合作为设计低噪声放大器的基本框架,并采用ADS软件对电路图进行仿真,对初步仿真结果进行进一步分析,处理的难点在于这些参数是密不可分的,因此要对它们进行折衷的考虑分析、优化调谐操作等等。仿真结果为:在5.2GHz处,输入输出回波放射系数与都小于-30dB, 增益值为14.106dB,功耗为38mA,噪声系数为1.228dB,1dB压缩点为-11.20 dBm,三阶互调点为-2.5dBm。以上结果均满足预先的设计指标要求。
[关键词] 低噪声放大器 ADS仿真 CMOS工艺 电感源极负反馈共源共栅
Low Noise Amplifier design besed on ADS
Zheng pengda
NO: 2011850022, Electronic science and technology major, 2015,
Information Engineering College
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