氧化钒及其在红外探测应用的解决方案.pptVIP

VO2薄膜 组分主要为VO2的薄膜，在 68℃附近也存在一个半导体-金属相变过程，但薄膜材料受组分，结构以及微观晶界的影响，薄膜的电阻率变化远低于体材料，从 前面所介绍的内容可知VO2体材料相变前低温时的阻值是高温相变后阻值的 104～105倍。而VO2薄膜材料相变的阻值变化在 101～103倍之间。二氧化钒薄膜由于其热致相变特性可制成光电转换开关，光信息存储介质等。虽然对于VO2的研究已经取得了很多的进展，但如何制备出性能优异的薄膜以及进一步降低VO2的转换温度，却仍有待更深入的研究。 VOX氧化钒薄膜 VOx氧化钒薄膜是指存在多种价态的氧化钒成分混合的非晶或多晶薄膜，通常获得的VOx薄膜都是两种、三种甚至更多的不同价态氧化物的混合物，其结构与性质变得十分复杂。VOx主要的应用是作为探测器敏感材料应用于非制冷红外探测和红外成像技术中。高的热敏材料电阻温度系数TCR和大的探测元电阻均可以提高探测器的响应率和归一化探测率，但是实际应用中考虑到大的探测元电阻会带来较大的热噪声，会降低归一化探测率，所以在实际应用上对VOx薄膜性能的要求是：高TCR值，适当的阻值（一般选用 10~100K?），电阻温度曲线稳定，不存在突变。但一般来说阻值与TCR两个参数之间存在着相互制约的关系，TCR值大的薄膜阻值也大，而降低阻值TCR也会随之降低。已有的研究结果