TCL(透明导电层)工艺和工艺控制预览.ppt

内容简介 Ni/Au膜层制备介绍 Ni/Au膜层工艺控制及监测 ITO材料介绍 ITO膜层制备介绍 ITO膜层工艺控制及监测 Ni/Au膜层制备介绍 Ni/Au透明电极层的制备 蒸发真空度：7.5E-7torr 蒸发厚度： Ni=20? Au=90? 蒸发速率： Ni=0.4?/sec Au=2?/sec 退火温度： 450℃ 退火时间： 30m 退火气体： 空气 Ni/Au膜层厚度对LED工作电压的关系 Ni/Au退火机理 a）.将Ni/Au－ p-GaN接触置于含O2的气氛中退火后接触电阻会明显降低，究其原因就是在界面处形成了NiO； b）.由于Ni对O2的亲和力比Au大，所以Ni向外扩散，通过Au的晶界与表面的O2发生反应NiO。与此同时，Au向内扩散，形成富Ni的Au。呈不连续状Au岛与p-GaN紧密接触，并被连续的NiO薄膜所覆盖。 TCL退火前后的亮度比较 Ni/Au膜层工艺控制及监测 SPC管理图(蓝光波段) SPC管理图(绿光波段) ITO材料介绍 高密度 低密度 厚度与方块电阻 厚度与透光度 (退火后) ITO膜层退火条件 温度：550℃ 时间：30m 气体：O2 2.4L/m N2 4.8L/m 温度：520℃ 时间：4m/18m/4m 气体：N2 4L/m ITO膜层退火前后透