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练习 P127 1 试画出理想MOS结构（N型半导体为衬底）平衡时的能带图。 P127 2，3，4，5 练习 P 127 8，9，11，12，13，14，15，16 表面耗尽 施加一个正电压（V＞0）于金属板上时，表面势为正值，表面处能带向下弯曲，如图（b）所示。 这时越接近表面，价带顶离费米能级越远，价带中空穴浓度随之降低。并且，外加正电压越大，能带向下弯曲越深；越接近表面，空穴浓度比体内低得多，表面层的负电荷基本上等于电离受主杂质浓度，这种情况称表面耗尽。半导体中每单位面积的空间电荷QSC的值为qNAW，其中W为表面耗尽区的宽度。 表面反型 施加一个更大正电压时，表面处能带进一步向下弯曲，如图（c）所示。 表面处费米能级位置高于禁带中央能级Ei，也就是说，费米能级离导带底比离价带顶更近一些，这意味着表面处性质发生根本性变化，表面电子浓度超过空穴浓度，表面导电类型由空穴型转变成电子型，这种情况称表面反型。反型层Xi发生在近表面，且厚度很薄，而紧靠其内部还夹着一层耗尽层，厚度比反型层大很多。 对于N型半导体，同样可证明： 金属电极加正电压为电子积累； 加小负电压为耗尽状态； 而负电压进一步增大时，表面空穴堆积出现反型层。 7.3 MOS结构的电容-电压特性 金属-氧化物-半导体