半导体器件原理-第二章素材.ppt

机理： 隧道击穿取决于穿透隧道的几率 势垒区宽度要窄。 雪崩击穿取决于碰撞电离 有一定的势垒区宽度。 从实验上可区分这两种不同的电击穿。研究分析表明： 硅pn结： 4 V 隧道击穿 6 V 雪崩击穿 1.1 pn结的基本结构 1.2 pn结静态特性：平衡pn结； 1.3 反偏 1.4 pn结电流 1.5 pn结的小信号模型 1.6 产生—复合电流 1.7 结击穿 1.8 隧道二极管 * 第一章：pn结二极管 1.8 隧道二极管 隧穿效应：量子力学中，势垒比较薄时，粒子能穿过势垒到达另一边。 隧穿发生的两个条件： 势垒一边有填充态，另一边同能级有未填充态 势垒宽度小于10-6 cm 1.8 隧道二极管 * N区和p区都为简并掺杂的pn结称为隧道二极管 N型材料的费米能级进入导带，p型材料的费米能级进入价带 N区与p区均为简并掺杂的pn结的热平衡能带图 隧道二极管势垒的三角形势垒近似 隧道二极管的伏安特性 电流和电压间的变化关系与一般半导体二极管不同，当某一个极上加正电压时，通过管的电流先将随电压的增加而很快变大，但电压达到某一值后，忽而变小，小到一定值后又急剧变大； 如果所加电压与前相反，电流则随电压的增加急剧变大。 (a) 零偏