半导体物理第3章素材.ppt

在实际半导体中总含有少量杂质. 在较低温度下，由杂质提供的载流子往往远超过本征激发，例如在Si和GaAs中，只要含有数量级为1014/cm3的浅能级杂质，室温下的载流子浓度将远超过本征载流子浓度． 但在较高温度下本征激发将占优势． * 我们把本征激发占优势(载流子浓度能由(3-3-4)给出)的温度范围称为本征区． 本征载流子浓度的意义还在于：对于任何非简并半导体一般有： 而不依赖于半导体中是否含有杂质． 因此，若已知ni和一种载流子浓度，则可根据上式求出另一种载流子浓度． np=ni2 (3-3-6) * (3-3-4) (3-2-21) * 我们还可以把式（3-2-16）和（3-2-18)的n和p表示为： (3-3-7) * ?为由导带底开始计算的电子能量，它代表导带电子的动能。 我们容易求出动能小于?的状态数N(?)，它等于能量小于?的k空间的体积乘以2/(2?)3。 能量小于?的k空间体积就是能量为?的等能面所包围的球的体积，由式(3-2-5)可知它的半径为   * 于是可得到N(?)为 * 对上式取微分并与式 比较可得  上面的结果说明g(?)与?之间有抛物性关系，如图3．3所示． 这里特别要指出的是态密度依赖于有效质量．有效质量大的带，态密度也大． * dN=g(?)d ? (3-2-