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半导体物理 Semiconductor Physics 为能观察到明显的共振吸收峰，要求样品纯度较高，而且实验一般需在低温下进行 交变磁场的频率在微波甚至在红外光的范围 实验中经常固定交变磁场的频率，改变磁感应强度以观测吸收现象。 磁感应强度约为零点几T 2.3 Si、Ge和GaAs的能带结构 一、 Si、Ge和GaAs的导带结构 回旋共振实验表明： Si的导带底附近等能面是由长轴沿100方向的6个旋转椭球等能面构成，旋转椭球的中心位于100方向上简约布里渊区中心至边界的0.85倍处。 Ge的导带底附近的等能面由长轴沿111方向的8个旋转椭球等能面构成，导带极小值对应的波矢位于111方向简约布里渊区的边界上，这样在简约布里渊区内有4个完整的椭球。 图2.10 Si和Ge的简约布里渊区和k空间导带底附近等能面示意图 GaAs的导带极小值位于k＝0处，导带极小值附近具有球形等 能面，mn* ＝0.068m0。在111方向上还存在导带的另一个 次极小值，其能量比布里渊区中心的极小值约高0.29eV。 二、 Si、Ge和GaAs的价带结构 Si和Ge价带顶位于布里渊区中心k＝0处，并且价带是简并的。由于能带简并，Si和Ge分别具有有效质量不同的两种空穴，有效质量较大的(mp)h称为重空穴，有效质量较小的(mp)l称为轻空穴。另外由于自旋-轨道耦合作用