半导体三极管素材.ppt

UBB RB UCC RC 1、发射区的电子大量地扩散注入到基区，基区空穴的扩散可忽略。 e b c IE 发射结正偏 集电结反偏 外电场方向 N N P UBB RB UCC RC 1、发射区的电子大量地扩散注入到基区，基区空穴的扩散可忽略。 2、电子扩散的同时，在基区将与空穴相遇产生复合。由于基区空穴浓度低，且基区做得很薄，因此，复合的电子是极少数。 3、绝大多数到基区的电子均能扩散到集电结处，并在集电结电场作用下到达集电区。 4、因集电结反偏，集电区和基区中少子在结电场作用下漂移，形成很小的且与集电结的反偏压无关的反向饱和电流。 e b c IE IB IC 发射结正偏 集电结反偏 外电场方向 N N P ICBO 1、大量电子N2通过很薄的基极被集电极吸收，少量电子N1在基极与空穴复合。N2和N1的比例由三极管内部结构决定。在不考虑ICBO时： IC/IB=N2/N1=β 2、以上公式是右方电路满足发射结正偏、集电结反偏时得到的，一旦外界条件改变到不再满足这两个条件，则以上公式不再成立。 电流分配关系 UBE正向导通: 硅管大约0.7V 锗管大约0.2V UCE=UCC-IC*Rc≈UCC-βIB*Rc 三极管的放大原理归结为： 内部机制：发射区高掺杂，基区很薄，集电结面积大 外部条件：发射结正偏，集电结反